白光LED用新型红色荧光粉Li2SrSiO4:Eu&3+的合成及性质.pdf

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白光LED用新型红色荧光粉Li2SrSiO4:Eu&3+的合成及性质1 白光LED用新型红色荧光粉Li2SrSiO4:Eu&3+的合成及性质2 白光LED用新型红色荧光粉Li2SrSiO4:Eu&3+的合成及性质3 白光LED用新型红色荧光粉Li2SrSiO4:Eu&3+的合成及性质4
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 24   材料工程/2011年3期  白光LED用新型红色荧光粉  Li2SrSiO4:Eu3+的合成及性质 Synthesis Phosphor    — andPropertiesofNovelRedemitting      Li2SrSiO4:Eu。+forWhiteLED  翟永清,王       欣,冯仕华,刘毅兰,游志江           (河北大学化学与环境科学学院,河北保定071002) —  — — — ZHAIYongqing,WANGXin,FENGShihua,LIUYilan,YOUZhijiang      (CollegeofChemistryandEnvironmentalScience,Hebei   University,Baoding071002,Hebei,China)            摘要:以金属硝酸盐为原料,正硅酸乙酯为硅源,采用凝胶一燃烧法合成了新型红色荧光粉LizSrSiO:Eu,用红外分光              光度计、x射线粉末衍射仪、荧光分光光度计等手段研究了该荧光粉的形成过程、结构及发光性能。结果表明:凝胶燃烧      ”            — 所得前驱物在700 ̄C焙烧3h即得目标产物Li:SrSiO:Eu,其晶体结构属六方晶系,空间群为P321,晶胞参数:12               0.5012nm,c一1.2360nm;激发光谱为一宽带,最大激发峰位于396nm处;最强的发射峰位于618nm处,是典型的Eu                   的D。一F跃迁导致的;当Eu。掺杂摩尔分数z在0.O4~O.24的范围内时,随Eu抖浓度的增加,发光强度逐渐增强,           无浓度猝灭现象发生。由于该荧光粉能够有效吸收396nm附近的近紫外光,因此适合做35O~410nmInGaN管芯激发  的白光发光二极管用高亮度红色荧光粉。   ”      关键词:LiSrSiO:Eu;红色荧光粉;白光发光二极管;凝胶一燃烧法  中图分类号:TH117.3  文献标识码:A —— 文章编号:1001-4381(2011)03002404  —       —    Abstract:AnovelredemittingphosphorLi2SrSiO4:Eu什wassynthesizedbygelcombustionmethod,                 usingthemetalnitratesasrawmaterials,andtetraethoxysilaneassilicasource.Theformation     —      process,structureandluminescencepropertiesofassynthesizedLi2SrSiO4:Eu抖wereinvestigatedby—             FIIR,XRDandfluorescencespectrophotometerrespectively.Theresultsshowthatthegoalproduct                  — Li2SrSiO4:Eu。canbeobtainedaftertheprecursorobtainedfromthecombustionofdrygelwascal  ℃    —          cinedat700for3h.TheassynthesizedsamplehashexagonalcrystalstructureandP3121space               group,anduniteellparameterisa一0.5012nm,c一1.2360nm.Theexcitationspectrumshowsabroad                    band,andthestrongestexcitationpeakisat396nm.Thestrongestemissionpeakisat618nm,     whichisascribedtoDo÷                  F2characteristictransitionofEu.Whenthemolefractionzofdoped      —          Eu什isintherangeof0.040.24,theluminescenceintensityofthesampleincreasesgraduallywith               thetheincreaseofEu抖concentration.Itisinterestingthatnoconcentrationquenchingoccurs.The    —            —— synthesizedphosphorcanabsorbnearUVlightaround396nmeffectively,SOitisasuitableredemit    —    —   tingphosphorforwhitelightemittingdiodesexcitedby350410nmInGaNchip.  ”  —       —  Keywords:Li2SrSiO4:Eu;redemittingphosphor;whitelight~emittingdiodes;gelcombustion  method         白光发光二极管(LightEmittingDiodes,LED)    具有高亮度、低能耗、长寿命、体积小、无辐射、无污染       等优点],在照明领域拥有很大市场,被称为继白炽    灯、荧光灯和高压气体放电灯后的第四代绿色照明光          源]。目前最成熟的白光LED是用蓝光LED管芯激   发黄色荧光粉YAG:Ce抖发出黄色光,二者叠加产生     白光。由于缺少红光成分,导致显色指数偏低],所           以,研究开发LED用高效红色荧光粉显得尤为重要。             Eu抖在紫外激发下容易发生D。一F跃迁,是很    好的红色荧光粉激活剂,可以通过选择不同的基质材             料调控Eu抖电荷迁移带跃迁位置,从而改变其有效吸      收位置,制备不同用途的功能材料,所以Eu抖激活的  红色荧光粉的制备及性质研究受到人们广泛的关注。             考虑到硅酸盐基质材料容易获得近紫外~蓝光范围的       白光LED用新型红色荧光粉LiSrSiO:Eu抖的合成及性质 25    高效激发,且具有化学稳定性好等优点,以及凝胶一燃   烧法合成温度低、组分均匀性好、粒度小、快速、高效等      优点_5,本工作采用凝胶一燃烧法合成了新型红色荧          — 光粉Li2SrSiO4:Eu抖。Li2SrSiO4基质最先是由Ha    ferkorn等采用溶胶一凝胶技术合成的,此后Pardha                Saradhi等采用固相反应合成了Eu。激活的      ” LizSrSi0橘黄色荧光材料。有关LiSrSiO:Eu红  色荧光粉的研究还鲜有报道。    l实验   1.1主要原料       所用原料Sr(NO3)2、Li2CO3、(C2HO)4Si、CO   (NHz)z、H。BO。、HNO。、无水乙醇均为分析纯,EuO。     为荧光纯(99.999)。     1.2制备过程           首先将EuO。溶于硝酸,制成Eu(NO。)。溶液,    其准确浓度用EDTA标准溶液滴定。然后,将化学计           量的LiCO。溶于稀硝酸制得LiNO。溶液。在100mL     坩埚中加入一定体积的共溶溶剂无水乙醇,按目标产                物LiSr一SiO:Eu的化学计量比,依次加入    (C2HO)4Si、Eu(NO3)。溶液、Sr(NO。)2、LiNO3溶     液、H。BO。、CO(NH),及少量二次水,搅拌使各物料       完全溶解并混合均匀,用2mol/L的HNO。调节pH    ℃         值在2~3之间,在70恒温水浴下加热蒸发,使             (C。HO)Si充分水解,直至形成凝胶。将此凝胶置于   ℃            烘箱中在7O下干燥,得干凝胶。然后将盛有干凝胶  的坩埚置于马弗炉中,在一定炉温下起火燃烧,燃烧过       程中放出大量气体,火焰呈黄红色,整个过程持续约                 2~3min,之后取出坩埚,加盖冷却至室温,得白色疏   ℃   松多孔前驱物,将其研细,于700下焙烧3h,即得目      标产物,样品呈白色。    1.3分析测试    用Y一2000型X射线衍射(XRD)仪测定样品的物        ≤  ≤    相结构,测试条件为:2O。270。,CuKd,一     0.154178nm,电压30kV,电流20mA;用Nicolet380     红外光谱仪测定样品的红外光谱;用F一380型荧光分  光光度计测定样品的激发和发射光谱,所有样品均在     室温下进行检测。  2结果与讨论    2.1红外光谱分析    ”         为了研究LizSrSiO:Eu样品的形成过程,测量       —         了其前驱物和终产物的FIIR图,结果如图1所示。           —   图1中曲线a是LiSrSiO:Eu抖前驱物的FIIR图,                在3451em出现的宽而平滑的吸收带源于水分子中 —    的OH的伸缩振动,与游离水(毛细孔水和表面吸            附水)及结构水有关;1447cm出现的尖峰是NO。一  — 的伸缩振动峰;1153cm处出现的是LiO键的伸缩        —      振动峰;975,732cm处分别是SiOSi键的反对             —   称和对称伸缩振动峰;506cm处出现SiO~Si的     —    弯曲振动峰;862cm出现SrO键的伸缩振动峰。             — 说明前驱物中仅有少量硝酸盐残留,已初步形成Sr—            O,LiO键。图1中曲线b为LiSrSiO:Eu抖终产  —           物的FIIR图。与图1中曲线a相比,345lcm处—               OH的伸缩振动峰有所减弱;1447cm处NO一的        — —        伸缩振动峰基本消失;SiOSi键的反对称伸缩振   — 动峰移至904cm处;SrO键的伸缩振动峰加强并        — 向短波数方向移动至859em处;539cm是EuO          ℃     键的伸缩振动峰;说明前驱体经700热处理后,              NO。盐已分解完全,金属硅酸盐已经形成。因此,为   ℃ 了得到目标产物,凝胶燃烧所得前驱物需要在700    下进行热处理。   wavenumber/cm。   ”  — 图1Li2SrSiO4:Eu前驱物(a)和终产物(b)的FIIR图      Fig.1IRspectraofprecursor(a)and   finalproduct(b)ofLi2SrSiO4:Eu。    2.2物相结构分析        ℃       凝胶燃烧所得前驱物经700热处理3h所得系             列样品LiSr一SiO:Eu的衍射图谱类似,以一   0.10时的样品为例,如图2所示。     由Jade软件对XRD图谱进行分析,结果显示样           — 品的衍射数据与LiEuSiO的标准卡(JCPDS47                0120)基本相同,属于六方晶系,空间群为P321,与           PardhaSaradhi等报道的研究结果基本一致,即:      — LiSrSiO与LiEuSiO有相同的晶体结构。与LiEu       SiO的标准XRD谱图相比,样品衍射峰略向大角度    方向移动,数据见表1。依据布拉格方程,dsin0=;t,其 26   材料工程/2011年3期 20/(。)       图2Li2SrSiO4:Eu3lI的XRD衍射图谱       Fig.2XRDpatternofLizSrl9SiO4:Eu8_+                  中,d是晶面间距,0是布拉格角,是X射线的波长          (对CuKa,一0.154178nm),布拉格角随着晶面间           距d的减小而增大。因为Li。。的半径(0.0730nm)远  ”      小于Eu(0.1206nm),所以导致Li2SrSi04:Eu抖的           晶胞参数比LiEuSiO的有所减小(见表2),晶面间距        变小,因而样品衍射峰向大角度方向移动。          表1LiEuSiO4和Li2Sr0.9SiO4:E的XRD数据            Table1XRDdataofLiEuSiO4andLi2Sro9Si04:Eujl-      表2Li:SrSiO4:Eu3荧光粉的结构和晶胞参数          Table2StructureandlatticeparametersofLi2SrSiO4:Eu。。。         2.3Li2SrSiO:Eu的激发和发射光谱     2.3.1Li2SrSiO:Eu抖的激发光谱               凝胶燃烧法所得荧光粉LiSrSiO:Eu在紫外                光照射下发出明亮的红光。监测618nm测得样品的     激发光谱如图3所示。该激发光谱主要由两部分组            成:在220 ̄350nm的宽带来自于Eu抖与O。一之间的    电荷迁移态,即配位O离子将一个电子转移给处于   — 配位中心的Eu。离子,形成EuO复合体系的一个激                发态;350~450nm之间的系列锐谱线,归属于三价   —           Eu针离子的ff高能级跃迁吸收,其中最强的锐线峰       位于396nm处,对应于Eu抖的F。一L。跃迁;其他较      弱的激发峰分别位于383,365.8,415nm。  Wavelength/nm      图3LizSrSiO4:Eu的激发光谱       Fig.3ExcitationspectrumofLi2SrSiO4:Eu。     2.3.2Li2SrSiO:Eu。。。的发射光谱         ”  在396nm激发下,测得样品LiSrSiO:Eu的发             射光谱,如图4所示。从图中可以看出,样品的主发射        峰位于618nm,属于Eu抖的D。一F跃迁。此外,在             590,659,692nm处还有三个相对较弱的发射峰,依次            归属于Eu抖离子的D。一F1,Do一F3,D。一F4辐    ”        ”  射跃迁。根据Eu电子跃迁的一般定则,当Eu处               于基质晶格中对称格位时,将以D。一F允许的磁偶                极跃迁为主,发射出波长在590nm左右的橙红光;当        Eu什在基质晶体中占据不对称中心的格位时,由于           4fn组态中混入了相反宇称的5d组态以及晶场的不均  — 匀性,使晶体中的宇称选择定则放宽,ff禁戒跃迁被     部分解除,结果出现以D。一F。允许的电偶极跃迁为             主的波长在616nm左右的红光。对于LiSrSiO:             Eu抖荧光材料,其最强发射峰位于618nm,应属于D。           一F。允许的电偶极跃迁,这表明Eu计处于LiSrSiO     基质中不对称格位。           该体系荧光粉具有很宽的激发带,能被近紫外一紫       — 光有效激发,呈现红色发光,因此,非常适合用于In    ”   白光LED用新型红色荧光粉LiSrSiO:Eu的合成及性质 27∽    U一   C               560580600620640660680700  Wavelength/nm   ”  图4LizSrSiO4:Eu的发射光谱        Fig.4EmissionspectrumofLizSrSiO4:Eu   GaN管芯(350~410nm)激发的白光LED,有望提高    LED的显色性。         2.3.3Eu抖浓度对样品发光性质的影响       不同Eu。浓度下样品     光谱如图5所示。一 ∽    ^_  U一  )、 . = 皇 皇     Li2Sr1一SiO4:Eu的发射  Wavelength/nm       图5LizSrlSiO4:Eu的发射光谱          Fig.5EmissionspectraofLi2Srl一SiO4:Eu(z一0.04~0.24)              从图5可以看出,Eu。浓度(z)的变化对样品的   发射光谱的形状影响较小,但对发射峰的强度影响显          ”  著。当z在0.04~0.24范围内变化时,随着Eu离                   子浓度的增加,618nm处的主发射峰强度不断增加,            而590nm处的弱发射峰强度增大幅度很小,因而红橙            比I618nrn/590nm逐渐增大,红光发射增强。这是因为随着               Eu浓度的增加,转变为荧光中心的离子数量逐渐增              加,因而发光亮度随之提高。Eu。浓度.27在0.04~   0.24较宽的范围内变化样品未出现明显的浓度猝灭    现象,说明该体系猝灭浓度较大。这可能是由于材料   基质特殊的晶体结构,使Eu抖在其中呈现一维或二维    排列方式,导致发光中心之间的能量传递被抑制,几乎       不出现浓度猝灭现象[1。    3结论           (1)采用凝胶一燃烧方法合成了新型红色发光材料”     LizSrSi04:Eu,其结构属于六方晶系,空间群为P321。             (2)所合成的LizSrSiO:Eu。最强发射峰位于                618nm,呈红光发射;激发带较宽,主激发峰位于           396nm,因此可作为350~410nm的近紫外一紫光激发          用红色荧光粉,有望提高白光LED的显色性。        (3)当Eu抖掺杂摩尔分数在0.O4~0.24的范                 围内时,随着Eu抖离子浓度的增加,Li。Sr一SiO:    EC的发射强度不断增加,无浓度猝灭现象,这可能            是由于材料特殊的结构有效抑制了发光中心之间的能  量传递的结果。    参考文献         — [1]YAMFK,HASSANz.InnovativeAdvancesinLEDTechnolo   gY[J].Microeletron,2005,136(2):129132.         — [2]ZHANGXL,HEH,LIZHSH,eta1.PhotoluminescenceStud         — iesonEu0andCe。一DopedLi2SrSiO4EJ].JournalofLumines—  cence,2008,128(12):18761879.      [3]SCHLOTTERP,SCHMIDTR,SCHNEIDERJ.Luminescence        ConversionofBlueLightEmittingDiodesEJ].AppliedPhysics  —  A,1997,64(4):417418.            [4]ZHANGXG,ZHOUFX,SHIJX,eta1.Sra5Mg。sSi3C14:   —      EuBluishGreenEmittingPhosphorforNuVBasedLED[J].     MaterialsLetters,2009,63(11):852854.         [5]翟永清,孟媛,曹丽莉,等.蓝色长余辉发光材料Sr2MgSizO:Eu,”  — Ln的合成和性质[J].材料导报,2007,21(8):125128.            — [6]翟永清,焦芳芳,张张,等.新型蓝色长余辉发光材料SrMg             si2O6:Eu,Dy的制备及性质[J].硅酸盐学报,2008,36  —  (12):17581763.      Ⅱ [7]HAFERKORNB,MEYERG.Li2EuSiO4,EinEuropium()   Dilithosilicat:Eu[(Li2Si)O4][J].ZeitschriftfarAnorganische    —  undAllgemeineChemie,1998,624(7):10791081.        [8]SARADHIPM,VARADARAJUUV.Photoluminescence           StudiesonEuActivatedLizSrSiO4aPotentialOrangeYellow  —    PhosphorforSolidStateLighting[J].ChemistryofMaterials,—  2006,18(22):52675272.          — [9]ZHANGQY,PITAK,YEW,eta1.InfluenceofAnnealingAt           mosphereandTemperatureonPhotolumincscenceofTh。orEu。一           activatedZincSilicateThinFilmPhosphorsviaSolgelMethodEJ].  —  ChemicalPhysicsLetters,2002,351(3,4):163170.    ”    [10]余锡宾,杨良准,杨仕平,等.SrZnO2:Eu,Li长波紫外激发      红光荧光体的合成及发光性能研究[J].中国稀土学报,2005,     23(5)1533536.     基金项目:国家自然科学基金资助项目(20675023)  ——     收稿日期:20100412;修订日期:20101031           作者简介:翟永清(197o一),女,教授,博士,主要从事稀土功能材料的           制备及性质研究,联系地址:河北大学化学与环境科学学院(071002),—  Email:zhaiyongqinghhu@163.com
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