低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究.pdf

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低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究1 低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究2 低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究3 低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究4 低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究5 低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究6 低介电常数的介孔SiO2∕PMMA杂化材料的研究7
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第2l卷第6期2013年12月材料科学与工艺MATERIALSSCIENCE&TECHNOLOGYV01.2lNo.6Dec.2013低介电常数的介孔Si02/PMMA杂化材料的研究焦剑,吴广力,刘蓬,蔡宇(西北工业大学理学院,西安710129)摘要:为降低PMMA的介电常数,同时提高其力学性能和热性能,利用原位分散聚合法以二维六方孔结构—Si02(SBA一15)和蠕虫状孔结构SiO:(MSUJ)为填料制备了PMMA杂化材料.采用XRD、VI'一IR、SEM、TEM和DSC等方法研究了杂化材料的微观形貌特征、介电常数、力学性能和热性能.结果表明:含质量分数—7%有机化修饰的SBA一15或MSUJ的PMMA杂化材料介电常数由2.91分别降至2.68和2.56;且在较宽范围频率下杂化材料的介电常数稳定.这主要是由于介孔孔道储存空气(K=1)、界面间隙及大的粒径带来的自由体积的引入降低了杂化材料的介电常数,同时也使杂化材料的力学性能和热性能得到显著提高.关键词:杂化材料;介孔二氧化硅;介电常数;微观结构;PMMA中图分类号:TQ323.5;TB332文献标志码:A———文章编号:10050299(2013)06002207Studyofnovellow-Kmesoporoussilica/PMMAhybridmaterialsJIAOJian,WU—Guangli,LIUPeng,CAIYu(DepartmentofAppliedChemistry,NorthwesternPolytechnical’University,Xian710072,China)Abstract:ToreducethedielectricconstantofPMMA,andimprovethemechanicalandthermalproperties,mesoporoussilica/PMMAhybridmaterialscontainingdimensionalhexagonalstructure(SBA一15)orWormholestructure(MSU-J)typemesoporoussilicaweresuccessfullypreparedviainsitupolymerization.Theirmorphologies,dielectricconstants,andthermalandmechanicalpropertieswereinvestigatedby—XRD,VFIR,SEM,TEMandDSC.Theconclusionsrevealthatthedielectricconstantsofhybridmaterialscanbereducedfrom2.91ofpurePMMAto2.68and2.56containing7wt%modifiedSBA一15ormodified—MSUJ,respectively.Andthemesoporoussiliea/PMMAalsopresentstabledielectricconstantsacrossthewidefrequencyrang.Thereductionofthedielectricconstantisattributedtotheincorporationoftheairvoids(K=1)storedwithinthemesoperoussilica,theairvolumeexistinginthegapsbetweenthemesoporoussilicaandPMMAmatrix,andthefleevolumecreatedbyintroducing—largesizeddomains.Moreover,themechanicalandthermalperformanceofhybridmaterialaredramaticallyimproved.Keywords:hybridmaterials;mesoporoussilica;dielectricconstant;microstructure;PMMA随着社会需要和科学进步,电子元器件向薄、轻、小的方向发展,小型化大规模的集成芯片是一种发展趋势,然而电路功率损耗倍增、反应时间增加、电路短路等问题也伴随而来,开发低介电常数的介电材料已成为一种必然趋势㈡!.除具有低的介电常数外,介电材料还需具备优异热稳定性、防收稿日期:基金项目:作者简介:通信作者:—2012一0830.西北。【:业大学研究生创业种子基金资助项目(Z2012152)焦剑(1970一),女,副教授,硕士生导师.焦剑,E-mail:jjiao@nwpu.edu.cn.水性、耐化学腐蚀性、机械性能等.聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)常作为高性能树脂基体,质轻性韧且在较宽的频率范围内介电常数稳定,被广泛地应用于微电子器件和大规模的集成电路中2.为满足微电子应用和绝缘性能的要求,PMMA的介电常数(s一3)有待进一步降低.目前常采用在聚合物链段中引入氟取代基或易降解嵌段或接枝链段的方法降低其介电常数一,但易影响其热稳定性和力学性能等.近年来有文献报道将介孑LSiO,引入到聚合物中,利用介孔SiO:具有的较大介孔孑L道体积来储存低介电常数(s=1)的空气,大幅万方数据第6期焦剑,等:低介电常数的介孑LSiO:/PMMA杂化材料的研究・23・度降低复合材料的介电常数H。6。.介孔SiO:又具有纳米级孔径及孔壁厚度,与聚合物复合可最大限度地发挥其纳米效应,使材料具备优异的物理‘力学性能和热性能等7一。.本文利用原位分散聚合的方法,以二维六方孔结构SiO:(SBA一15)和蠕虫状孔结构SiO:—(MSUJ)为填料,制备了一系列的低介电常数的—PMMA杂化材料,采用XRD、FTIR、SEM、TEM、DSC等方法对杂化材料的结构和性能进行了测试,并分析总结了杂化材料的微观结构对其性能的影响规律.1实验1.1主要原料正硅酸乙酯(TEOS),气R,Kermel化学试剂有限公司;P123(E020PO匍E0加),AR,Aldrich化学品公司;D2000,H2NCH(CH3)CH2[OCH2CH(CH3)]33NH2,AR,Huntsman公司;浓盐酸,AR,武汉中天化工有限公司;1一(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(MAPTS),AR,南京康普顿曙光有机硅化工有限公司;甲基丙烯酸甲酯(MMA),AR,天津市福晨化学试剂厂;偶氮二异丁腈(AIBN),AR,上海山浦化工有限公司;无水乙醇,AR,天津市红岩化学试剂厂;甲苯,AR,天津市红岩化学试剂厂.1.2主要设备与仪器比表面积及孔隙度分析仪,ASPS2020型,美国Micromeritics公司;X射线衍射仪XRD一7000X—型,13本SHIMADZU公司;傅里叶红外光谱仪,ISl0型,美国Necolet公司;透射电镜,H800型,13本Hitachi公司;扫描电镜,S一2700型,13本Hitachi公司;冲击试验机,65950000型,意大利Ceast公司;微机控制电子万能试验机,CMT6104型,深圳市新三思材料检测有限公司;差动扫描量热分析仪,TAMDSC2910型,美国TA公司;高频Q表,AS2853型,上海爱仪电子设备有限公司.1.3试样制备介孑LSiO:的制备及有机化修饰:参照文献[9]和[10]方法分别以P123和D2000为模板剂,—TEOS为硅源,制备SBA一15和MSUJ前驱体,℃分别在550和650下焙烧5h得到SBA一15和—MSUJ.将制备的介孑LSiO:(4.8g,0.08m01)加入到MAFFS(0.02m01)的甲苯(224mL)中,超声分散30℃min后,在110下回流反应5h,过滤后℃用乙醇洗涤,80下真空干燥,得到SBA一15一G——和MSUJG.杂化材料的制备:将不同质量分数的介孔SiO,(质量分数1%、2%、4%、7%、10%)加入到℃含有AIBN的MMA单体中,超声分散后,在75下预聚30min,浇注到模具中,聚合反应工艺为℃45/20℃h+100/1h.1.4测试与结构表征XRD测试:采用cu靶Ka辐射电压40.0kV,扫描范围0.6。~5。,扫描速度0.5(。)/min,—SBA一15和MSUJ的晶胞参数(。)分别为∞2d。。。/,3和d。(dloo为100晶面间距).孑L容(y刚)、孑L径(D。J。)、比表面积(.s唧)、孔壁厚度(日)测试:由比表面积及孔隙度分析仪在一196cC下测试样—∽品的吸附脱附等温线得到,其中H=nD。—FvrIR分析:将样品和KBr以约1:100的质量比混合研磨均匀,压制成小圆片,扫描范围为400~4000cm~.SEM分析:加速电压10kV,将介孔SiO:粉末或杂化材料试样拉伸断裂面喷金后,观察断裂面形貌.TEM分析:采用瑞典—LKBV型超薄切片机将杂化材料切成50~70nm厚的薄片后置于铜网上,然后在加速电压为200kV的透射电镜上观察介孑LSiO:分布及微观结构.℃介电性能测试:测试温度25,测试频率分别为1、10、60、100、1000MHz,试样厚度为3mm.力学性能测试:分别根据GB/T—104092和GB/T—104393标准进行拉伸和冲击性能测试.DSC℃分析:N,气氛,升温速率10/min,测试范围℃25~300.2.1介孔SiO:孔结构—图1为SBA一15和MSUJ的XRD谱图,SBA一15在有机化修饰前后均具有(100)、(110)、(200)三个强衍射峰,且峰的位置不变,表明其具有长程有序的二维六方孔结构一。.0123420/(。)图1介孔SiO:的XRD谱图—蠕虫状结构的MSUJ仅有(100)一个衍射峰,说明其孑L结构缺乏长程有序性。10.有机化修饰对介孔SiO:的介孔有序结构无影响.采用N:万方数据材料科学与工艺第21卷吸附脱附的方法测定了介孔SiO:的孔结构(见表1).修饰后的介孑LSiO:的孑L径、孔容和比表面积均减小,孑L壁厚度增加,说明MAVIS进入到了孔道内,对孑L道内壁进行了有机化修饰.图2为介孑L’SiO:修饰前后的丌一IR谱图,修饰前的介孔SiO:在1083和466cm。1处有si一0一si伸缩和弯曲振动吸收峰,说明介孔SiO:无机骨架结构保留完好且热稳定性较好.表1介子LSiO:子L结构432l波数/103cm。1—图2介孔SiO:有机化修饰前后的FTIR谱3440、968cm。1为孑L道表面Si一0H伸缩和弯曲振动吸收峰.而l635cm一为孑L道表面吸附水的变角振动吸收.修饰后的介孔SiO:在2951和2850“cm处出现一CH,及一CH,的非对称和对称伸缩振动峰,同时在1732、1635cm一处出现—一C一0及一CC(与孑L道表面吸附水的变角振动吸收重叠)的伸缩振动峰,说明MAPTS成功地接到了SBA一15孔道表面上,在3440、968和l635cm一处的吸收峰强度均变弱,表明有亲水性转…变为亲油性.2.2介孔SiO:/PMMA杂化材料的微观结构利用硅烷偶联剂MAPTS具有的特殊分子链结构对介孑LSiO,进行修饰.MAPTS的烷氧基团水解后可与介孔SiO,孑L壁表面含有的大量羟基进行化学结合,且其反应官能团与PMMA基体之间形成化学键,从而增强介孑LSiO,与PMMA之间的界面结合,界面处的化学结构如下式:由图3(a)和(b)的SEM图可见:SBA一15和—“MSUJ呈现出不同的外观形貌,SBA一15为敖“”崭选北状一,单个秸秆长度0.5~1I.Lm,易盘“”—在一起呈辫状,长度4~6恤m;MSUJ为近似椭球形结构¨o,直径1~3斗m.由图3(c)~(g)的SEM图可见,纯PMMA的断面光滑平整,由于介孔SiO,形貌和孑L结构的不同形成了杂化材料的不同形貌的粗糙断裂面.PMMA能够延伸到孑L道内部增加了介孔SiO:与基体的接触面积,受力易产生银纹,吸收能量减缓应力,利于杂化材料性—能提高.修饰前的SBA一15和MSUJ在基体中的分散性较差,易形成团块或聚集体(红色椭圆内),而经有机化修饰后在集体中能够相对均匀分散.有机化修饰可以改善介孑LSiO:的分散性和与基体的界面相容性。11I.由图3(h)和(i)的TEM图可以看出,SBA一15仍具有长程有序的二维六—方的孑L结构,MSUJ的蠕虫状结构没有被破坏,这为储存空气保留空隙提供了前提条件.万方数据第6期焦剑.等:低介电常数的介孔SiO!/PMMA杂化材料的研究・25・图3介孔SiO:粉体和杂化材料的拉伸断面SEM图和杂化材料切片的TEM图2.3介孔Si02/PMMA杂化材料的介电常数表2为60MHz下测定的杂化材料介电常数.—当添加4%质量分数的SBA15时,杂化材料的介电常数从2.9l降到最低2.73;而添加7%质量分数的SBA一15一G时,介电常数最低为2.68.———MSUJ和MSUJG的质量分数为7%时,杂化材料介电常数最低分别为2.64和2.56.随着介孔SiO:含量的增加,杂化材料介电常数均呈现—出先降低后增加的趋势,且含有MSUJ或——MSUJG的杂化材料介电常数均低于含有SBA一15或SBA一15一G的杂化材料,这主要是受杂化材料中储存的空气影响,且有机化修饰有利于介电常数的降低。12.介孑LSiO:较大的孔体积可以储存介电常数低(占=1)的空气,把储存有大量空气的介孑LSiO,引入聚合物可以降低杂化材料的介电常数.含有不同介孑LSiO:的杂化材料的介电常数有较大差异,这主要是受介孑LSiO:的孔结构、颗粒的外形和大小以及界面结构的影响14川.表2杂化材料的介电性能、空气体积含量和孔道体积含量万方数据・26。材料科学与工艺第2l卷通过阿基米德方法测定材料的密度,然后根据式(1)、(2)和(3)计算杂化材料中空气体积含量:—风=F丁上_;(1)’P(PMMA)P(silica)y:上一上;(2)PPo∞Vo=XVI{JH.(3)式中:y为每克杂化材料中含有的空气体积,简称“”空气体积含量,cm3;vo为每克杂化材料中所含“”介孔SiO:的孑L道体积,简称孔道体积含量,till3;p(PMMA)、p、p(silica)分别为通过阿基米德法测定的纯PMMA、杂化材料、介孔Si02(2.18g/cm3)的密度;to为杂化材料中介孔SiO:的质量分数,%.由表2可知,杂化材料中的空气体积含量呈现先增加后降低,与各杂化材料介电常数的变化趋势一致.杂化材料中空气体积主要来自于三部分:一是由于孑L的封闭或堵塞、介孔间微孔尺寸太小等造成孔道填充不完全带来的孔道体积;二是介孔SiO:与基体间形成两相界面间隙;三是介孑L‘SiO,的加入产生的自由体积4J.由表2可以看出,杂化材料中空气体积含量远低于孔道体积含量,∞说明孔道大部分被填充,与Suzuki等。研究结论—一致.在介孔SiO,含量相同时,MSUJ/PMMA中空气体积含量大于SBA一15/PMMA.说明受到孔结构和粒子形貌的影响.当介孑LSiO。的质量分数超过7%时,空气体积含量下降,是由于含量过高造成团聚结块界面接触面积大为减小使两相界面间隙减小.介孑LSiO:的孔容大、孔壁薄和粒径大有利于空气体积含量的提高.介孔SiO:的有机化修饰改善了介孔SiO:的分散性,它可能会堵塞孑L道,阻碍孔道填充,利于空气体积含量的‘—提高1341.图4为不同频率下测定的杂化材料介电常数,结果表明频率变化时介电常数保持稳定,频率增加时介电常数降低极小.电子转移和极性基团和分子链段的运动会受到电场变化快慢的影响,在低频范围内随着频率的增加材料介电常数一般趋于降低¨‘516J.而PMMA极性酯基对电场变化的响应程度决定其介电常数,酯基极性基团的极化比电子或原子极化需要更长的时间,所以使PMMA在较宽频率范围内具有稳定的介电常数,在电子产品中得到广泛应用.黎牝脚亡图4PMMA和杂化材料在不同频率下的介电常数2.4杂化材料的力学性能和热性能由表3可以看出,杂化材料的拉伸强度和模量均高于纯PMMA,杂化材料的拉伸破坏能大于纯PMMA(由应力一应变曲线下的面积表示,见图5),但断裂延伸率和冲击强度均低于纯PMMA.表明刚性介孔SiO:对PMMA有增强增刚Ⅲ—作用,但不利于韧性提高J.SBA一15和MSUJ孑L径较大且结构稳定有利于MMA单体在孑L道内的运输和反应的进行,且孑L壁上分布着一些无序万方数据第6期焦剑,等:低介电常数的介孑LSiO:/PMMA杂化材料的研究・27・JJ,孑L与主孑L道贯穿,易形成三维纳米网络结构.孑L内聚合物与孔外基体在孔口处形成较强的结合作用,纳米级的孑L径和孑L壁厚度能够产生纳米效应,较低的填充量就使杂化材料的强度和模量得到较大提高o—Isl.MSUJ/PMMA的拉伸强度和模量均高于SBA一15/PMMA,有机化修饰有利于杂化材料拉伸强度的提高,冲击强度也得到改善,但拉伸模量略有下降.有机化修饰改善了介孑LSiO:在基体中的分散性,增强了与基体的界面结合,有利于杂化材料强度的提高.但有机化修饰使界面处形成了柔韧的界面层,受应力时易产生分子链的滑移,使拉伸模量略有减小.表3杂化材料的力学性能和热性能图5含有不同介孑LSiO:的杂化材料应力一应变曲线采用DSC测定杂化材料和纯PMMA的玻璃化转变温度(t。)(图6),杂化材料的t。均高于纯——PMMA,质量分数7%的MSUJG/PMMA的t。最高达到127.1oC.图6PMMA和杂化材料的DSC曲线PMMA被引入到介孔SiO:刚性的纳米级孔道中,粒子表面和孔道内壁与基体均形成了很强的界面结合,且在孔口处有较强的结合力,抑制了PMMA线性分子链的运动,增加了分子链运动所需要的能量.修饰后介孔SiO:内、外表面转变为亲油性,与基体间形成了化学键,具有更强的界面结合能,利于t。提高¨’bo.3结论1)采用在位分散聚合法制备了含SBA一15—或MSUJ的PMMA杂化材料,添加7%质量分—数的有机化修饰SBA一15或MSUJ后,PMMA杂化材料的介电常数从2.91分别降至2.68和2.56,且在较宽的频率范围被内杂化材料的介电常数稳定.这主要是因为介孔孔道储存空气、界面间隙及大的粒径带来的自由体积的引入降低了杂化材料的介电常数.2)在降低材料介电常数方面,具有较大粒径—和孔容及薄的孔壁蠕虫状介孑L结构的MSUJ比二维六方孔结构的SBA一15更有潜力,介孑LSiO:有机化处理有助于降低材料的介电常数,如果能够将介孔的孔道完全堵塞将会提供更多的空气体积,来进一步优化材料的介电性能.3)介孑LSiO:的添加在降低PMMA杂化材料介电常数的同时,对力学性能和热性能的提高也较为显著,为高性能介电材料的开发奠定了基础.参考文献:[1]WEIL,HUN,ZhANGY.Synthesisof∞polyme卜m隆qr0IJssilica娜ites[J].Materials,2010,3(7):4066一d079.[2]张娜,方芳,吴志勇.集成电极的复合混沌混合芯片的快速制备及表征[J].功能材料与器件学报,—2008,14(6):943948.ZHANGNa,FANGFang,WU—Zhiyong.Rapid—preparationandcharacterizationofchaoticmixingchip—integratedindiumtinoxideelectrodesJ】.Journalof—FunctionalMaterialsandDevices,2008,14(6):万方数据・28・材料科学与工艺第21卷—943948.[3]ZHAOXY。LIUHJ.Reviewofpolymermaterialswithlowdielectricconstant[J].PolymerInternational,—2010,59(5):597606.[4]LINJJ,WANGXD.Novel—lowkpolyimide/mesoporoussilicacompositefilms:preparation,microstructure,and—properties[J].Polymer,2007,48(1):318329.[5]SUZUKIN,KIBAs,YAMAUCHIY.10wdielectricpropertyofnovelmesoporoussihca/polynaercon吗30sitesusing[J].MieroporousandMesoporousMaterials,2011,138(1/2/3):—123131.[6]SEINOM,WANGWD,LOFGREENJE,et—a1.Lowkperiodicmesoporousorganosilieawithairwalls:POSS-PMO[J].JournaloftheAmericanChemicalSociety,—2011,133(45):1808218085.[7]ZHANGFA,LEEDK,PINNAVAIATJ.PMMA/mesoporoussilicananocomposites:effectofframeworkstructureandporesizeonthermomechanicalproperties[J].JournalofPolymerSciencePartA:PolymerChemistry,201l(1):107一113.[8]CHENZJ,SONGC,BAIR,eta1.EffectsofmesoporousSBA一15contentsonthepropertiesofpolystyrenecompositesviain-situemulsionpolymerization[J].JournalofPolymerResearch,2012,19(3):9846-9854.[9]ZHAODY,FENGJL,HUOQS,et乜f.Tfiblockcopolymersynthesesofmcsoperoussilicawithperiodic50to300angstromperesEJ].Science,1998,279(5350):546-552.[10]PARKI,WANGz,PINNAVAIATJ.Assemblyoflarge-poresilicamesophaseswithwormholeframeworkstructuresfrom,a—Wdiamineporogens[J].Chemistryof—Materials,2005,17(2):383386.[11]王娜,高娜,李洪伟,等.不同结构颗粒对PMMA基复合材料性能影响[J],化学学报,2010,68(8):—827832.WANGNa,GAONa,LI—Hongwei,eta1.InfluenceofdifferentstructuralparticleonthepropertiesofPMMAcomposites[J].ActaChimicaSinica,2010,68(8):—827832.[12]HUAJT,GUAAJ,HANGGZ.Synthesisof懈poroussihcaanditsmedificationofbismaleimide/cyanateesterresinwithimprovedthermalanddielectricproperties[J].PolymersforAdvancedTechnologies,2012,23(3):—454462.[13]MINCK,WUTB,YANGWT,eta1.Functionalizedmesoporoussilica/polyimidenanocompositethinfilmswithimprovedmechanicalpropertiesandlowdielectricconstant[J].CombustionScienceandTechnology,—2008,68(6):15701578.[14]HOFFMANNF,COMELIUSM,MORELLJ,eta1.Sili.ca・basedmesoporousorganic・-i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