电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响.pdf

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电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响1 电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响2 电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响3 电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响4 电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响5 电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响6
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 76   材料工程/2012年4期    电流密度对甲基磺酸盐电沉积  亚光锡的影响      EffectsofCurrentDensityonElectr0deposited       MattTininMethanesulfonateElectrolytes张      著,郭忠诚,龙晋明,曹 梅。            (1昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明650093;           2昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;       3昆明理工大学理学院,昆明650093)   —      ZHANGZhu,GUOZhongcheng,LONGJiwming,CAOMei。           (1FacultyofMetallurgicalandEnergyEngineering,KunmingUniversityof        ScienceandTechnology,Kunming650093,China;2FacultyofMaterial          ScienceandEngineering,KunmingUniversityofScienceandTechnology,         Kunming650093,China;3FacultyofScience,KunmingUniversityof    ScienceandTechnology,Kunming650093,China)            摘要:在甲基磺酸盐电镀溶液中进行恒电流电沉积亚光锡镀层实验,考察电流密度对镀液极化性能、阴极过电位、电流                 效率、沉积速率及镀液分散能力的影响。利用SEM和XRD分析不同电流密度所得锡镀层的表面形貌和结晶取向。结             果表明:随着电流密度增大(O.5~4A・dm),镀液的阴极极化增大,电流效率先增加后降低,沉积速率不断加快,但镀  “” “  ”      液分散能力有所下降;晶体由向上生长模式逐渐转变为侧向生长模式,择优取向由(321),(431)晶面转变为(112),           (332)晶面;添加剂吸附在晶体表面,降低了被吸附晶面的表面自由能,使这些晶面的生长速率下降,从而改变了镀层择    优取向和晶体生长的方式。      关键词:电流密度;甲基磺酸盐;电沉积;亚光锡镀层   中图分类号:TQ153.1  文献标识码:A ——— 文章编号:10014381(2012)04007606         Abstract:Theeffectsofcurrentdensityoncathodepolarization,overpotential,depositionefficiency,           — depositionrate,throwingpower,surfacemorphologyandcrystallizationorientationinstannousmeth           anesulfonatebathswerestudiedusingconstantcurrentpolarization,scanningelectronmicroscopeand—            — Xraydiffractionpatterns.Theresultsshowedthat,thecathodepolarizationanddepositionratein            creased,throwingpowerdecreased,depositionefficiencyinitiallyincreasedandthendecreasedwith                — theincreasingofcurrentdensity(0.5-4A・dm).Increaseincurrentdensitymadethetinelectro              crystallizationvariedfromoutwardtolateralgrowthmodesandcrystallizationorientationvariedfrom        (321)and(431)to(112)and(332)crystalfaces.Theadditivesadsorbontocrystalfaces.thesurface            energiesandgrowthratedecreased,preferredorientationsandgrowthmodescouldbemodified.     Keywords:currentdensity;methanesulfonate;electrodeposition;matttincoating          锡镀层无毒呈现银白色,具有优良的延展性、抗蚀            性、可焊性和导电性等特点,已被广泛应用于食品加工   设备、包装以及装运设备、镀锡铜线、镀锡铜包钢线、电               子元器件、印制线路板以及装饰性镀层等。目前应用           的镀锡工艺主要有氟硼酸镀锡、碱性镀锡、硫酸盐镀锡  和甲基磺酸盐镀锡等口]。氟硼酸体系镀锡因存在对  设备腐蚀性强,镀液废水难处理,严重污染环境等缺点            而逐渐被淘汰。碱性镀锡其电镀过程需加热,能耗高。                硫酸盐镀锡一直被广泛采用,但是硫酸盐体系镀液不         ”       稳定,镀液中Sn易被氧化为Sn,Sn水解后生成            偏锡酸,导致镀液混浊。甲基磺酸是一种有机强酸,可        以增强电镀液的导电性,对Sn。。有一定的络合作用,    可增加甲基磺酸亚锡的稳定性,对设备腐蚀性小,废水   在自然环境中易被生物降解],有利于环保等优点,因              此受到国内外的广泛关注。目前国内外针对甲基磺酸             盐镀锡的研究大多集中在添加剂方面   ],而针对      电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响 77    电流密度这一重要电沉积工艺参数,其对甲基磺酸盐                镀锡的镀液性能、镀层微观形貌和择优取向影响的研    究比较少。     本工作利用恒电流法电沉积锡镀层,通过测定不           同电流密度下电极的沉积电位一时间曲线,了解甲基磺                 酸盐镀液阴极极化性能的变化,考察电流密度对过电    位、电流效率、沉积速率、镀液分散能力、锡镀层的表面        形貌以及择优取向的影响。   1实验   1.1实验材料  甲基磺酸亚锡(MsAS)、甲基磺酸(MsA)为工业级,          亚光复合添加剂(自主研发,包含有一(CO)一0_,一         C6H4一(CO)一等基团),阴极为紫铜片(50ram×  25mm× 0.5ram)。   1.2实验仪器  利用CHI760C型电化学工作站,记录工作电极在      镀液中以恒电流方式进行电镀时的沉积电位一时间关      系曲线,测量时间为600s。使用三电极体系,其中工                 作电极为纯铜试片(用环氧树脂涂封后的外露面积为                 lcm。),实验前用5号金相砂纸打磨并用丙酮脱脂。    参比电极为饱和甘汞电极(SCE),辅助电极为高密度 —   石墨片。采用xL30ESEMTMP扫描电子显微镜分    析镀层的表面形貌;采用D/Max2200转靶X射线衍 射仪分析镀层物相组成和结构。    1.3工艺条件              电镀溶液与工艺参数:甲基磺酸亚锡(以Sn计)        22g・L_。,甲基磺酸190g・L_。,复合亚光添加剂            13mL・L~,阳极为99.99锡板,阳极阴极之比为         2:1,电流密度为0.5~4A・dm_。,温度为(22± ℃     2),电镀时间为20min。  工艺流程:除油一水洗一酸洗(1:1盐酸)一水洗一                中和(3NaOH溶液)一水洗一活化(10甲基磺           酸溶液)一镀锡一水洗一中和处理一水洗一干燥。  2结果与讨论        2.1恒电流下的沉积电位一时间曲线    图1是在不含添加剂的基础镀液中,以不同恒电            流密度下电沉积时的阴极电位一时间曲线。可以看出,         在0.5A・dm的较低电流密度下,阴极电位在整个           电沉积过程中基本不变,约为一0.4516V;当电流密度                为2A・dm时,初期一段时间(约100s)内由于电极    表面双电层的充放电弛豫效应,阴极电位先下降再回                升,最后电位稳定在一0.4562V;而当电流密度为         4A・dm时,电极电位经历初期的快速下降和回升   (暂态过程)后沉积电位最后稳定在一0.4627V。这说                 明对于无添加剂的基础镀液,随着阴极电流密度从            0.5A・dm增加到4A・dm_。,锡的沉积电位变化不     明显(仅负移了约11.1mV)。 之 目 Time/S    图1在甲基磺酸亚锡基础镀液中不同恒    电流密度下的电位一时间关系曲线        Fig.1E-tcurvesinbasestannousmethanesulfonate      bathwithdifferentconstantcurrentdensities  图2是添加亚光复合添加剂的甲基磺酸盐镀锡液              (简称亚光镀液),以不同恒电流密度下电沉积时的阴            极电位一时间曲线。可以看出,在o.5A・dm的较低                电流密度下,阴极电位在整个电沉积过程中仍然基本            不变,约稳定在一0.4556V,与图1相比,这个值仅比    无添加剂镀液中的沉积电位负移了4mV,表明在较低               的阴极电流密度下,镀液中添加剂的存在对沉积电位   基本上无明显影响。但是在较高的阴极电流密度下,               镀液中有无添加剂则使得电沉积电位表现出很大的差                别。当电流密度为2A・dm时,电极电位在初期迅      速下降,20s以后电位即稳定在一0.7423V,此电位比           无添加剂的基础镀液的稳定沉积电位(一0.4562V)负       移了286.1mV。当阴极电流密度提高到4A・dm    时,电位随时间延长,初期电位较负,随后缓慢升高,最              后稳定在一0.8383V,此电位比无添加剂的基础镀液         的稳定沉积电位(一0.4627V)负移375.5mV。由于  此电沉积过程还伴随着氢还原反应及氢气的析出,电  极表面状态受氢气泡冲刷作用而变得不够稳定,致使               测得的该电位一时间曲线不太平滑,呈锯齿状。对于亚                  光镀液,随着阴极电流密度从0.5A・drn增加到     4A・dm1。,锡的沉积电位负移了约382.7mV。添加           剂的吸附性能受电流密度的影响,在低电流密度时,添   加剂在阴极吸附能力较小,对沉积锡电位影响不大,当            电流密度增大时,添加剂强烈地吸附在阴极表面,增加                    了Sn在阴极上还原的阻力,沉积锡的电位明显   负移。 78     图2在含复合添加剂的甲基磺酸亚锡镀液中 不同恒电流密度下的电位一日寸问关系曲线      Fig_2F_fcurvesinatannoHsmetha  nesulf0natebathc。ntaining       。posltadditiveswithdifferentc。n   stantcurrentdensities ,      电沉积受电化学极化控制的情况下,   根据Tf。l 公式口, 阴极过电位与电流密度之间有如下关:… …    一a+blgJ (1)    式中:为过电位;为阴极电流密度  ;。和6为常数    平为s/sn的平衡电位,      由稳态极化曲线测  知一   O.44V为阴极电流密度.    1,图2和式(2),计算不同电流密度下沉   竺竺过位,得到图3阴极过电位与电; 竺量。 。   图3可以看出,在基础镀液和亚光:皇  过电位都近似符合Tafel公式, 即   兰种竺!,电结晶沉积过程主要受电化学   警:经数据线性拟合计算得到Tfel表达式如下 .一…一  lg(d/CmA・cm。2))     图3避电位和电流密度的关系   Fig・3Relati。nshipbetw    een。verpotentialandcath。diccurrent    dnsityinstann。usrnethane  sulfonatebath。  量全~3可以看出,在一定的镀液中,随着阴极电流密度的增加,锡的电沉积电位变负,   且使三   :兰降低晶粒尺寸,获得平整镀层。但电流 亭篓氢严重,   并会导致锡镀层烧焦 ̄o"左I-    Lq+t::lp+j   妻复下,添加亚光复合添加剂的镀液比基础           电更负。且随着电流密度的, NN“    值越大。这表明电沉积电位姜阴极 妻   响,同时在很大程度上还与镀羞 量有关。在电沉积锡的过w稗,--申, , 蓦在             阴极表面,阻碍sn在阴极上的。Ⅲ 曼登沉积过电位增大。从实际应用的要  :不出现烧焦的前提下,应尽量选择较高的工 . : 能使沉积过电位提高,镀层晶  而且能提高镀层的沉积速率和生产塞… …  … ~  击  竺法确定在亚光镀液中电沉积锡-的j电流效  兰率,阴极试样工作面积为o.25dmz,某 竺兽竺度,   分别根据式(5)和式(6)计算 率和沉积速率,均取三个平行试样的平均值。…… 一   在亚光锡镀液中阴极电流密度对电流效率 髻响。可以看出,电流效率起  苎增大,   当电流密度为2A.dm一   率到最高,为98.        2。但当电流密度增加4   图4在亚光锡镀液中阴极电流密度对    电流效率和沉积速率的影响     Fig.4Influenceofcathodicc     urrentdensity()。nth   depositionefficiency(r])andth    edep。shionrate()in   stannousmethanesulfonatebathc0nt ainin   compositeadditive    电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响 79  为高电流密度下析氢反应速率增大所致。随着电流密             度的增大,锡沉积速率也加快,当高电流密度下阴极发          生显著析氢后,锡的沉积速率增加变缓。         2.3电流密度对镀液分散能力的影响  影响镀液分散能力的因素有很多,包括镀液极化             能力、电流的边缘效应以及阴极电流效率随电流密度                 变化关系等。在哈林槽中采用远近阴极法考察加                 有亚光添加剂的镀液在不同电流密度时的分散能力,       按式(7)计算分散能力T:  T一×  100 (7)        —  ^十m1/m2Z                  式中:K是远近阴极与阳极间距离之比,本实验K一           2;m是近阴极增重,g;m是远阴极增重,g。               相同电流密度下重复3次实验,计算结果取平均                 值,不同电流密度下分散能力T如图5所示,可以看    出,随着电流密度增加,镀液的分散能力有所降低,电                   流密度增加到4A・dm时,镀液分散能力下降到   83。但可以看出,该镀锡液总体上仍有较高的分散               能力,其原因可能是由于有机添加剂优先吸附在阴极               ‘ 电流密度较高的区域,形成紧密的吸附层,阻止Sn。               放电或金属吸附原子在表面的扩散,阴极电流密度较           高的区域电流效率较低,锡沉积速率减低。反之,阴极  电流密度较低的区域电流效率较高,因此提高了镀液∽    U 三. 口 三 fa1 U I…  …..~  ■■  J~I一1.1._I                   lO2O3O405O6O708090100 20/(。) 茸 兽 量∽   o.  U 芒 皇    分散能力。     图5镀液分散能力随电流密度变化         Fig.5Effectsofcurrentdensityonthrowingpower        2.4亚光镀锡层的XRD图  金属电沉积一般要经过基体外延生长、无序取向、      择优取向三个状态[1引。对于电结晶形成的多晶体镀  层,由于晶粒不同晶面的生长速率不同,那些快速生长               方向恰好与电流方向一致的晶粒将优先得到发展,从                而就可能导致结晶的择优取向,即镀层形成织构。电               沉积时的镀液组成、添加剂、电流密度、温度和流速等                 因素,对织构的形成都有不同程度的影响。图6是铜                  基体和不同电流密度下所得亚光锡镀层的XRD图。     当电流密度为0.5A・dm时,因镀层厚度较薄(约为 fb1~   0溢  -皇 ∽ -’  一/   -昌g0   00C  ∽ - \     州H_IJL-_..-                   102O3O405060708090100 20/(。) (d) ; … 呙:辨0∽ d I   一.-IlII,’ 枷・・                   10203O405O6O708090l0O 20/(。) 2O/(。)     图6铜基体和不同电流密度下获得亚光锡镀层的XRD图      (a)铜基体;(b)J一0.5A・dm一。;(c)J一2A・dm;(d)J=4A・dm                Fig.6XRDpatternsofcoppersubstrateandmatttincoatingelectrodepositedatdifferentcurrentdensities       (a)coppersubstrate;(b)J:0.5A・dm一;(c)J=2A・dm一;(d)J一4A・dm一∞ ∞ ∞ ∞ ∞ ∞ ∞  0 如 加  O  O  O  O  0  O  O  O  O  O  O  O  O  O  O  0  5  4  3  2  l∞ ∞ u一言I10菪一∞ ∞ ∞ ∞ ∞ ∞ ∞  0    电流密度对甲基磺酸盐电沉积亚光锡的影响 81            (3)电流密度为0.5A・dm和2A・dm下获得   的锡镀层,其晶粒的择优取向晶面为(321)和(431);在  电流密度较高时,锡镀层的择优取向晶面转变为(112)  和(332)。 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [1O1 [11] [12]    参考文献     庄瑞舫.电镀锡及可焊性锡合金发展概况[J].电镀与涂饰,2000,—  19(2):3844.       陈友强.浅谈卤素法电镀锡工艺[J].电镀与环保,2005,25(4):—  46.     李昌树,安成强,郝建军.锡铅合金电镀液研究进展[J].电镀与涂 — 饰,2007,26(9):2528.     —   MARTYAKNM.SEEFELDTR.Additiveeffectsduringplating      inacidtinmethanesulfonateelectrolytes[J].ElectrochimicaActa, —  2004,49(25):43034311.     侯红娟,李恩超,黄邦霖.甲基磺酸电镀液的降解性能评价口].钢 — 铁,2O11,46(5):9396.             — LOWCTJ,WALSHFC.Thestabilityofanacidictinmethane         sulfonateelectrolyteinthepresenceofahydroquinoneantioxidant — EJ].ElectrochimicaActa,2008,53(16):52805286.         李基森,陈锦清.甲基磺酸盐体系电镀液的研究[J].中国表面工 —  程,2000,(3):13.         丁运虎,周玉福,毛祖国,等.甲基磺酸亚光纯锡电镀添加剂的研  — 究[J].材料保护,2006,39(3):47.     靳佳琨.添加剂对甲基磺酸盐镀锡电沉积过程的影响[J].表面技 —  术,2007,36(5):5355.   李荻.电化学原理[M].北京:北京航空航天大学出版社,2008.          王保玉,申义阳,刘淑兰,等.稀土在镍铁合金电沉积中的作用 — [J1.材料保护,1998,31(1):1214.   ——      周绍民.金属电沉积原理与研究方法[M].上海:上海科学   技术出版社,1987. 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SIEGFRIEDMJ,CHOIKS.Electrochemicalcrysta1lization0f      — cuprousoxidewithsystematicshapeevolution[J].AdvancedMa—  terials,2004。16(19):17431746.   — 基金项目:锡电镀体系应用技术研究资助项目(619320100099);昆明理    工大学分析测试基金资助项目(2010228);稀贵及有色金属先进材料教        育部重点实验室、云南省新材料制备与加工重点实验室测试基金资助 (201002281)  —  — 收稿日期:2011-0925;修订日期:2012-0114        作者简介:张著(1986--),男,硕士研究生,主要研究方向:表面处理和 — 阳极材料,Email:zzpenguin@163.corn     “ 通讯作者:龙晋明(1954一),男,教授,硕士生导师,主要研究方向为材”      料腐蚀与防护及表面工程,主持和参加国家、省部级及企业委托等各         类科研项目近20项,获省部级科技奖7项,发表论文100多篇,联系地                  址:云南省昆明市一二一大街文昌路68号昆明理工大学材料学院— (650093),Email:jinminglong@sina.corn                                                   米米米米米米米米米米米米米米米米柴米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米   (上接第71页)           [8]xiAWJ,CAIJG,CHENZH,eta1.Microstructureandroom          temperatureformabilityofAZ31magnesiumalloyproducedby      — differentialspeedrolling[J].ChineseJournalofNonferrousMet—  als,2O10,20(7):12471253.      [91HASEGAWAO,MANABEK,NISHIMURAH.Deformation         — behaviorofAZ31magnesiumalloyextrudedtubeunderpressben         dingatroomtemperature[J].JournalofJapanInstituteofLight   Metals,2002,52(7):298~302.        [1O]SOTOUDEHK,BATEPS,ROBSONJD.Roomtemperature      — stretchformabilityofAZ31Bmagnesiumalloysheet[A].Mag         nesium8InternationalConferenceonMagnesiumAlloys&   theirApplicati0ns[c].Weinheim,Germany:Wiley-VCHVerlag   —  GmbH,2010.755757.         [n]DULYD,SIMONJP,BRECHETY.Onthecompetitionbe一 [12] [131        — tweencontinuousanddiscontinuousprecipitationsinbinaryMg   — A1alloys[J].ActaMetallMater,1995,43(1):i01106.  —     罗承萍,肖晓玲,刘江文.AZ91MgA1合金中7-Mg17Aim析出       相的多重位向关系及{112)伪孪晶关系[J].金属学报,2002,—  38(7):709714.  ——    周玉,武高辉.材料分析测试技术材料X射线衍射与电子     显微分析[M1.哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2007. “”  基金项目:十二五国家科技支撑计划资助项目(2011BAE22B00)  —   收稿日期:2011-0627;修订日期:2011-12-11          作者简介:杨林(1963一),男,博士,教授,主要从事轻合金材料及微观     组织与力学性能等方面的研究,联系地址:辽宁省沈阳市经济技术开发                   区沈辽西路1l1号沈阳工业大学材料科学与工程学院(110870),  E-mail:yanglin318@126.corn
庸梦人
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