电子束技术在冶金精炼领域中的研究现状和发展趋势.pdf

　９２　　　材料工程／２０１３年８期　　　电子束技术在冶金精炼领域中的　研究现状和发展趋势　　　　　　　ＰｒｏｇｒｅｓｓｉｎＲｅｓｅａｒｃｈａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎ　　　　　　　ＢｅａｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｎＭｅｔａｌｌｕｒｇｙＲｅｆｉｎｉｎｇＦｉｅｌｄ　　　　　　　谭毅，石爽　　　　　　　　　　　　（１大连理工大学材料科学与工程学院，辽宁大连１１６０２４；　　　　２大连理工大学辽宁省太阳能光伏系统重点实验室，辽宁大连１１６０２４）　　ＴＡＮＹｉ¨　　’　．ＳＨＩＳｈｕａｎｇ　　　　　　　　　　（１ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆ　　　　　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｄａｌｉａｎ１１６０２４，Ｌｉａｏｎｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ；２ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＳｏｌａｒ　　　　　　　　ＥｎｅｒｇｙＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｙｓｔｅｍｏｆＬｉａｏｎｉｎｇＰｒｏｖｉｎｃｅ，ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｄａｌｉａｎ１１６０２４，Ｌｉａｏｎｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ）　　　　　　　摘要：电子束技术具有高能量密度、高真空度的优点，并且能够实现精确控制，成为目前熔炼提纯太阳能级多晶硅、精炼　　　　　　　　　高熔点金属及其合金以及制备高纯特殊钢和超洁净钢的有效手段。本文在阐述电子束熔炼原理的基础上，着重对电子　　　　　　　　　束技术在几种高纯材料与合金精炼中的研究与应用现状进行了综述，指出了目前存在的问题，并对电子束技术下一阶段　　　　的研究重点和发展前景进行了展望。　　　　　关键词：电子束技术；冶金；精炼；提纯—　ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１４３８１．２０１３．０８．０１５　　中图分类号：ＴＦ１３４　　　　———　文献标识码：Ａ文章编号：１００１４３８１（２０１３）０８００９２０９　　　　　　　　　—　　—　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓａｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｍｅａｎｓｆｏｒｐｕｒｉｆｙｉｎｇｓｏｌａｒｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎ，ｒｅｆｉｎｉｎｇｒｅ　　　　　　　　　　　　　　　ｆｒａｃｔｏｒｙｍｅｔａｌｓａｎｄｉｔｓａｌｌｏｙ，ｐｒｅｐａｒｉｎｇｈｉｇｈｐｕｒｉｔｙｓｐｅｃｉａｌｓｔｅｅｌａｎｄｓｕｐｅｒｃｌｅａｎｓｔｅｅｌ，ｂｅｃａｕｓｅｉｔｈａｓ　　　　　　　　　　　　　　　　　ｔｈｅａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｆｈｉｇｈｅｎｅｒｇｙｄｅｎｓｉｔｙａｎｄｖａｃｕｕｍｄｅｇｒｅｅａｎｄｉｔｃａｎｂｅｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄａｃｃｕｒａｔｅｌｙ．Ｉｎｔｈｉｓ　　　　　　　　　　　　　　—　ｐａｐｅｒ，ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｂａｓｉｃｐｒｉｎｃｉｐｌｅｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｓｉｔｕａｔｉｏｎｏｆｒｅｓｅａｒｃｈａｎｄａｐ　　　　　　　　　　　　　　　　ｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｎｔｈｅｒｅｆｉｎｉｎｇｏｆｓｅｖｅｒａｌｈｉｇｈ－ｐｕｒｉｔｙｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄａｌｌｏｙｓｗｅｒｅｒｅｖｉｅｗｅｄ．　　　　　　　　　　　　　　　Ｔｈｅｐｒｅｓｅｎｔｐｒｏｂｌｅｍｓａｎｄｔｈｅｍａｉｎｒｅｓｅａｒｃｈｄｉｒｅｃｔｉｏｎｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｗｅｒｅａｌｓｏｐｒｏｐｏｓｅｄ．　　　　Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ；ｒｅｆｉｎｉｎｇ；ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ　电子束熔炼技术是利用高能量密度的电子束轰击　　　　　　　　　　　　　　　材料表面时产生的热能使材料熔化，并通过调节功率　　和熔炼速率使熔池保持在较高的温度，在高温高真空　　环境下熔体充分发生脱气反应，有利于杂质和夹杂物　　的去除以及成分的精确控制，同时又可以避免坩埚材　　　料的污染，因而可熔炼多晶硅、高熔点金属及其合金以　　　及一些复合材料，获得具有一定性能要求的高纯材料，　　　　在国防军工、航空航天、电子信息、能源和核工业等领　　　　　　　　　　域有着不可替代的作用，受到世界各国的高度重视，已　　　　　　　　　　　成为材料科学界最为活跃的研究领域之一。　　　１电子束熔炼技术及其应用　电子束熔炼是使电子的动能转变为热能从而熔化　　　并熔炼材料的工艺过程口］，其工作原理：在高真空条　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　件下，电子枪中的灯丝被加热到一定温度而发射电　　　　　子，电子在负高压作用下加速，轰击阴极表面使阴极　　　　　　发射电子，电子在高压静电场中加速，之后经过磁透　　　　　　镜聚焦形成能量密度极高的电子柬流，通过偏转扫　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　描作用以特定的轨迹轰击到水冷坩埚中的材料表　　　　　　　　　　　面，电子的动能大部分转化为热能，产生极高的热　　量，使材料熔化。　　　电子束熔炼技术具有６个特点：（１）电子束熔炼时　　　　　　　　　　　　　真空度一般在１Ｏ～１０＿Ｐａ，比一般熔炼炉的真空度　　　　　　　　　　要高得多，因此对于材料中的气体、非金属夹杂以及挥　　　　　　　　　　　　　　　发性杂质的去除要完全和彻底得多，净化精炼反应的　　　　速率也比其他真空炉高；（２）由于电子束的能量集中　　（１０。～１Ｏ。ｗ／ｃｍ。），使熔池达到很高的温度，不仅有利　　　电子束技术在冶金精炼领域中的研究现状和发展趋势　９３　　　　　　　　　　　　　于提高精炼提纯的效果，而且可用于熔炼高熔点金属；　　　　　　　　　　　（３）电子束的可控性好，可通过控制电子束来控制熔池　　　　　　　　　　　　的加热部位，从而保证熔池温度分布均匀，有利于得到　　　　　　　　　　　　　表面质量和结晶组织优良的金属锭；（４）可以精确控制　　　　被熔材料的化学成分，能按照要求得到具有一定性能　　　　　　　　　　　　　　　　的稀有难熔和高纯材料；（５）对原材料的形状没有限　　　　　　　　　　　　　　　　制，不仅能熔化棒料，还可以熔化块状、屑状或粉末状　　　的原料；（６）容易实现自动化控制，特别是现代计算机　　　　　　　　　　　　　　　　技术、电子技术、自动化技术的应用，更容易实现对难　　熔材料的提炼及高纯材料的获取。　正是因为电子束熔炼技术具有这些特点，被用于　　　　　　　　　　　　　　熔炼钛、钽、铌、铱、钨、钼、铪、锆、铀、钍、钒等高熔点金　属及其合金以及镍或钴基的耐热材料和特殊用途的优　　　质合金钢口］，与其他熔炼方法相比电子束熔炼技术　　　　　　　　　　　　　具有独特的优势，如表１所示］。近年来，太阳能级多　　　　　　　　　　　　　　晶硅的提纯成为研究的热点之一，电子束熔炼技术也　　　　　　　　　　　　　　　　被用于去除多晶硅中的挥发性杂质，且具有很好的效　　果引。　　　　　　　表１电子束熔炼与其他制备过程特点的比较　　　　　　　　　　　　　　　Ｔａｂｌｅ１Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎｏｆｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇａｎｄｃｏｍｐｅｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ￣］　　　　　２电子束熔炼提纯太阳能级多晶硅　　　　　近些年来，随着太阳能光伏产业的迅猛发展，对硅　　　　　　　　　　　　材料的需求量也日益增长。作为太阳能电池的基础原　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　料，多晶硅材料的质量和产量是光伏产业发展的基　　　　　　　　　　　　　　础＿９．１０］。由硅矿石还原得到的冶金级硅（ＭＧ－Ｓｉ）含有　　大量杂质，研究表明，满足电池性能要求的太阳能级硅—　　　　　　　　　（ＳｏＧＳｉ）的纯度应该大于９９．９９９９，除Ｃ，Ｏ，Ｈ三种　　　杂质外，Ｂ，Ｐ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａ１，Ｎａ等杂质的浓度应低于１．０×　１０　　　　　　　　　　　　（质量分数，下同），其他杂质的浓度应低　于１．０×　１０　　　　　　　　　　［１１３，因此必须将硅中的杂质元素去除　　　　　　　　　　到一定程度，才能满足太阳能电池的要求。　　　　　　　２．１多晶硅熔炼提纯原理　　　　　　　　　　　　冶金法技术是提纯冶金级硅到太阳能级硅的一种　　　　　　　　　　　　　　重要方法，它是根据硅材料的基本特性，利用硅与杂质　　　　　　　　　　　　　　　不同的物理化学性质加以分离，获得太阳能级多晶硅　　　　　　　　　　　　　　　　　材料。日本ＪＦＥ较早开展了冶金法制备的太阳能级　　　　　　　　　　　　　　　多晶硅的研究与应用，并制定了太阳能级多晶硅的质　量标准＿８］。电子束熔炼技术提纯太阳能级多晶硅属于　　　　冶金法领域中的一个环节，根据硅中Ｐ，Ａ１，Ｃａ等挥发　　　　　　　　　　　　性杂质饱和蒸气压大于Ｓｉ的特点，利用电子束提供的　　　高温、高真空的环境，使这一类杂质从硅熔体中蒸发去　９６　　　材料工程／２０１３年８期　　　　　　　　　　布情况，发现过渡层的厚度随温度的增加而减小。　　　　　　　　　　　　　　　当电子束以确定的扫描方式作用在熔体表面时，　　　　　　　　　　　　　　　　　　　熔体表面的温度会随着扫描频率的改变发生变　化　。在低的扫描频率下，电子束移动的速率相对　　　　　　　　　　　　较慢，在熔体的一个区域停留的时间也较长，导致该区　　　　　　　　　　　域的温度远高于其他区域的温度，形成了大的温差；与　之相反，当电子束以较高的频率扫描时，熔体表面的温　　　　　　　　　　　　　　度相对平均。不同的熔体温度对应着不同的Ａ１挥发　　　损失速率。　　　　　　　　　　３．４电子束熔炼对钛合金铸锭微观组织的影响　　　　　　　　　　　电子束熔炼后的钛合金铸锭性能优良＿３：表面质　　　量好，可以满足后续加工的要求；结晶器中形成的熔池　　　　　　　　　　　　　　深度较浅，有利于降低偏析，控制缩孔的产生；通过控　　　　　　　　　　　　　制熔炼参数可以调节熔池的深浅和熔体的过热度，有　　　　　　　利于获得晶粒细小、均匀的铸锭。　Ｈ＿Ｖ．Ｚｈｕｋ等ｌ　　　　　　　　　　＿４观察了不同加热和凝固条件下　　　　　　　　　　　钛合金铸锭显微组织和表面质量的演化。如果以较大　　　　的电子束功率作用在结晶器中熔池表面中心，会形成一　　　　　　　　　　　　　　　　　个较深的熔池，最终获得具有柱状晶的铸锭；反之，　　　　　　　　　　　如果以较小的功率作用在熔池表面中心或者以较大的　　　　　　　　　　　　功率作用在熔池的周围，会形成较大的糊状区，最终形　　　　成等轴晶结构。　　电子束冷床熔炼是一种成熟的钛合金熔炼技术，　　　　　　　　　已经被成熟的应用于工业生产阶段，工业规模Ｔｉ一６Ａｌ一　　　　　　　　　　　　４Ｖ合金铸锭已经能够满足使用要求。目前，基于电子　　束冷床炉熔炼的成分控制技术、铸锭组织优化技术已　　　　　　　　　　　　　　　经取得了新的研究进展，对进一步提高铸锭成分及组　　　　织的均匀性，提高产品的综合性能以及扩大钛合金的　　成分范围具有重要意义，将使电子束冷床熔炼技术在　　　　　　　　　　钛合金铸锭的熔炼方面发挥更大的作用。　　　４电子束熔炼和精炼其他金属与合金　　　　４．１电子束提纯钽　　　　　　　　　　　　　　　钽及其合金具有高密度、高熔点、耐蚀、优异的高　　　　　　　　　　　温强度、良好的加工性、可焊性及低的塑／脆转变温度、　　　　　　　　　　　　　　　　优异的动态力学性能及经氧化处理后表面形成致密、　稳定、高介电常数的无定形氧化膜等特点而被广泛应　　　　　　　　　　　　　　　用于电子、化工、航空航天、武器等领域［４引。高纯钽基　　　　　　　　　　　　　　　合金不仅是制造航天飞行器高温零部件的理想材料，　　　　　　　　　　　　　　而且还是反应堆中可供选择的高温材料之一，用于制　　　　　　　　　造高温热电偶保护套。由于钽的熔点极高且与间隙元　　　　　　　　　　　　　　　　　　　素亲合力极强，所以采用真空电子束熔炼提纯工　　艺引。　　　　Ｇ．Ｓ．Ｃｈｏｉ等用电子束制备了纯度为９９．９９９　　　的钽，并与等离子体电弧熔炼的结果进行了比较，发现　　　　　　　　　　　　除Ｓｅ和Ｎｂ之外，电子束熔炼钽对于从Ｌｉ到Ｕ的所　　　有元素都有很好的提纯效果。５００ｇ钽经过电子束熔　　　　　　　　　　　　　　　　炼２ｍｉｎ后，气相杂质Ｃ，Ｎ和Ｏ的去除率就达到了　　　　　　　　　　　　　　９９，熔炼６ｍｉｎ后，其纯度就达到９９．９９９，其提纯　　　　　　　　　　　　　　效率优于等离子体电弧熔炼。研究表明，钽的维氏硬　　　　　　　　　　　　　　度与其纯度之间有应对关系，因此可以用维氏硬度来　　　　　　　　　评价其纯度。Ｋ．Ｖｕｔｏｖａ等［４。］用统计分析的方法研究　　　　了电子束提纯钽的最优化参数，指出当功率为２４ｋＷ、　　熔炼速率为０．０２９ｍｍ／ｓ时，提纯效果最佳。　　　４．２电子束提纯铌　高纯度铌材具有高熔点、高强度、耐热、耐酸碱和　　　　热传导性优良特性，故是现代高科技产业中必不可少　　　　　　　　　　　　　　的材料。纯铌本身就是一种超导材料，在粒子物理和　　　电子工业中具有重要的应用价值，高纯铌还被用于原　　　　　　　　　　子能结构材料以及超耐热合金等方面。铌的热导率与　　　　　　　　　　　其纯度成正比，所以提高其纯度是相当有用的。铌　　　　　　　　　　　　　　　在高温下会与Ｏ，Ｎ等非金属发生剧烈反应＿５，电子　　束熔炼在高真空条件下进行，能够降低非金属杂质在　　　　　　　　　　　气相中的含量，因此成为最适合精炼铌的方法之一。　　　　　　　　　　　　　　　Ｋ．Ｏｎｏ等对铌精炼的热力学过程进行了研　　　　　　　　　　　　　究，并用铝热还原法从Ｎｂ。Ｏ中制备了铌单质，然后　用电子束冷床熔炼法对其进行精炼。杂质的脱气反应　　　　　　　　　　　　　　　　发生在熔化时的原料表面以及熔池表面的大部分区　域，当杂质的浓度较高时，伴随着脱气反应的剧烈进行　　　　　　　　　　　熔体中会形成鼓泡和飞溅，非金属夹杂物通过浮选、凝　　　　　　　　　　聚和撇渣最终被去除。Ｓ．Ｆｕｋｕｍｏｔｏ等认为脱氧和　　　脱氮反应是脱气反应的速率控制步骤，反应的速率随　　　着电子束能量的增加而提高，并且铌的残余电阻率与　　　　　　　　　　　　　　　　其纯度相关，其中Ｏ含量的影响最大。Ｇ．Ｓ．Ｃｈｏｉ等¨　　　　　５。用电子束将铌的纯度提高到了９９．９９８，用于制　　　　备超导射频腔。　　　　４．３电子束提纯铱　　高熔点、良好的耐腐蚀性和高温抗氧化性使得铱　　及其合金在高温领域有着不可替代的作用，用于制造　　　　　　　　　　　　　　　电学器件以及高温抗氧化涂层［５。传统的感应熔炼　　　　　　　　　　　　　　　法将铱置于陶瓷坩埚中在大气条件下进行加热，容易　　　　　　　　　　　　　　　引人陶瓷夹杂，使用水冷铜坩埚并采用电子束进行熔　炼可有效克服这一缺点。　　　　　　　　Ｅ．Ｋ．Ｏｈｒｉｎｅｒ＿５用电子束熔炼了５５０ｇ铱，发现大　　　多数杂质元素的去除效果很好，并通过Ｌａｎｇｍｕｉｒ方　　　　　　　　　　　程从理论上推导了杂质含量与熔炼时间和熔炼温度的　　关系，计算了杂质的去除率，与实验结果相符合。　　　　４．４电子束提纯钼　　　　　　　　　　　　　　　　钼及钼合金因具有良好导热、导电、低热膨胀系　　　　电子柬技术在冶金精炼领域中的研究现状和发展趋势　９７　　　　　　　　　　　　数、高温强度、低蒸气压和耐磨等特性而成为电子电力　　　　　　　　　　　　　　　　　　设备制造业、金属材料加工业、玻璃制造业，高温炉件　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　结构部件制造，航空航天和国防工业应用的重要材　料ｌ　　　　　　　　　　　　　　　　　　＿５，尤其是用钼制备的电极材料具有广泛的应用。　　　　　　　　　　目前钼电极的制备方法主要有电子束熔炼和粉末冶金　　　　　　　　　　　　　　两种方法，电子束熔炼法对钼的提纯效果显著，制备的　　　　　电极材料密度高、晶粒大，抗冲刷抗腐蚀能力强，平均　　　　　　　　　　　　　　使用寿命为１２００ｈ，性能优于粉末冶金法制备的电极　　　材料。　　　　４．５电子束提纯铪　　　　　　　　　　　金属铪具有较高的中子吸收截面以及良好的焊接　　　　　　　　　　　　　　　　性能和加工性能，常用做核反应的控制棒和水冷高功　　　　　　　　　　　　　率长寿命堆＿ｓ，因此对其有较高的纯度要求。传统的　　　　　　　　　　　　　　　　　电弧熔炼法制备的铪锭，不能满足化学成分和铸锭均　　　匀性的要求。美国在２Ｏ世纪６０年代初期就开始使用　　电子束熔炼制备高纯铪，对于熔炼提纯效果、影响因素　　　　　　　　　　　　　　　以及提纯机制进行了研究。在国内，宝鸡有色金属加　　　　　　　　　工厂从１９６７年开始对铪的电子束熔炼工艺进行研　　　　　　　　　　　　　　　究＿５，提出真空度、漏气率、熔炼速率和功率是影响杂　　质去除的因素，将提纯效果、铸锭表面质量和熔炼损失　　综合起来选择和制定工艺参数。研究表明，电子束熔　　　炼对金属杂质有显著的去除效果，并且较高的熔炼功　　率和较低的熔炼速率有利于Ｏ，Ｎ，Ｃ的去除。　　　　　　　４．６电子束精炼合金钢　　　　　　　　　　　钢铁材料是人类社会中应用最广泛的一种金属材　　　料，在国民经济和社会发展中起到了不可替代的作用。　　　　　　　　　　　　随着科学技术的发展，对钢材质量要求不断提高，进一　　　步减少钢中夹杂含量，提高钢的洁净度，是一种发展趋　　　　　　　　　　　　　　　　　　势。超洁净钢的概念也已经被提出，这种钢的Ｓ，Ｐ，　　Ｎ，Ｈ，Ｔ．Ｏ等杂质的含量极低（低于１．０×　　　１０％）。　　　　　　　　　　　　　电子束熔炼能够消除钢中的夹杂物，去除杂质元素，是　　生产超洁净钢的一种有效方法。李正邦［６。。院士报道　　　　　　　　　　　　　　　了一种生产超纯净钢的工艺流程：首先用中频感应炉　　　　对钢材初步熔炼，然后在真空感应炉中进行精炼，最后　　　　　　　　　　　　　　　　用电子束进行深精炼，得到的成品钢Ａｌ，Ｓ的质量分　数低于１×　１０　，Ｎ的质量分数低于１．５×　１０　，　　　　　Ｔ．Ｏ的质量分数低于２×　　　１Ｏ９／６。　　　　Ｐ．Ｎａｋａｏ等Ｅ６１６２的研究表明，电子束熔炼不锈钢　　　　　　　　　　　　　时，钢中夹杂物的去除是随着脱氧反应而进行的，每次　　　　　的熔炼去除率可达到９０甚至更高，并且去除的效果　　　与夹杂物的尺寸相关，熔炼后获得铸锭的洁净度比其　　他熔炼方式都高。电子束熔炼高Ｃｒ钢时，合金元素从　　　　　　　熔体表面蒸发，Ｃ，Ｏ，Ｎ会随着脱气反应的进行被去　　　　　　　　　　　　　　　　除。合金元素的蒸发反应是一阶反应，气液界面的蒸　　　发是速率控制步骤，这个蒸发速率与其饱和蒸气压相　　　　　　　　　　关。熔炼后Ｃ，Ｏ，Ｎ含量之和小于５０×　１０　，Ｃｒ的　　　　　　　　　　　　　　　　　质量分数被控制在２５％，铸锭在经过热轧、冷轧和退　　　　　　　　　　　　　　　　　火等进一步处理后获得带钢材料，其韧性和抗腐蚀性　　能优良。　　　５电子束技术的发展趋势　　　　　　　　　　　　　　　随着科学技术的发展，对于高纯材料及其合金的　　需求量会越来越多，新一代超净材料的研究和开发也　　成为世界各国关注的焦点之一。电子束技术用于熔炼　　和精炼多晶硅、高熔点金属及其合金以及一些复合材　　　　料，能够有效地去除其中的杂质元素和夹杂物，控制合　　　　　金的成分，制备的铸锭组织致密、性能优良，并且已经　　　　　大规模地应用于工业生产中，取得了显著的成效。早　　　　　　　　　　　　期对电子束技术的研究主要集中在探索电子束熔炼的　　　工艺上，目的是寻求最优的工艺参数，得到最佳的提纯　　　　　　　　　　　　　　　效果和最优的铸锭组织，实现大规模工业应用。目前　　　　　　　　　　　　　　　　的研究主要是结合冶金学的基础理论，研究杂质在熔　　　　　　　　　　　　　　　炼过程中的运动行为和去除的机制，为电子束技术的　　　进一步应用打下基础。当前，电子束技术还存在许多　　　　　亟待解决的问题。　　　　　　　　　　　　５．１将计算模拟方法与电子束熔炼与精炼相结合　　　电子束熔炼是一个涉及到物理、化学反应的复杂　　　　　　　　　　　　　　　　　过程，包含了发生在液相、气相和气液界面的能量传　　输、动量传输和质量传输３个过程以及在气液界面的　　　　　　　　　　　　　　溶解和脱气反应。其中，熔池的温度是影响杂质和夹　　　　杂物去除、铸锭的质量以及合金化学成分均匀性的主　　　　　　　　　　　　要因素。然而，在电子束熔炼条件下，对熔池温度的测　　　　　　　　　　　　　　　量不易实施，因此有必要引入计算模拟的方法对整个　　　　　　　　　　　熔炼过程进行仿真，从理论上获得最佳工艺参数，为熔　　　　　　　　炼实验和工业生产提供依据。Ｄ．Ｍ．Ｍａｉｊｅｒ等＿６建立　　　　　了电子束熔炼多晶硅残余应力的计算模型。王步根　　　　　等胡建立了电子束熔炼多晶硅的温度场模型。西北　　有色金属研究院在电子束冷床熔炼钛合金的数值模拟　　　　　　　　　　　　　　上开展了工作Ｃ６５，６６］，得到了最佳的连铸工艺参数，模　　拟的结果与实测结果吻合良好。Ｍ．Ｒｉｔｃｈｉｅ等＿６对电　　　子束精炼不锈钢时的热量、质量和动量传输过程进行　　　　　　　　　　　　了模拟，计算了熔池的形状、熔体的流动速率以及温度　　　　　　　　　　　　　　　的分布。数值模拟方法的优势近年来逐渐显现出来，　　　　　　　　　　　在电子束技术的研究及生产指导方面起到越来越重要　的作用。　　　　　　　　　５．２探索电子束熔炼的新方法与新工艺　目前的电子束熔炼方法大多都是将材料完全熔化　　　　　　　　　　　　形成熔池，保持在较高的温度长时间熔炼，这种熔炼条　　件有利于杂质元素的去除。然而，熔池的温度越高，基　９８　　　　　　材料工程／２０１３年８期　　　　　　　　　　　　　　体材料的挥发损失也越大。而且，杂质的去除只发生　　　在熔池的表面，熔体内部的杂质需要经过长时间的扩　　　散到达表面，大量的能量被水冷坩埚带走，能量利用率　　　不高。因此，探索新的电子束熔炼方法和工艺，降低综　　合能耗成为发展高效、低成本电子束熔炼技术的一个　　　　　　　　　　　　　途径。ＪｉａｎｇＤ．Ｃ．等ｌ＿６。提出了一种小功率、浅熔池的　　　周期性熔炼方法，在提高杂质去除率的同时减少了基　　　　　　　　　　体材料的损失，达到了理想的效果。　　　　　　　５．３实现电子束熔炼技术的自动化　　　电子束是一种能量高度集中的热源，在熔炼过程　　中，要想使材料完全熔化，就必须调节电子束设备的参　　　数，使电子束按照某种扫描方式以一定的频率作用在　　　　材料表面。目前，对电子束设备参数的改变都依赖于　　　人工调节，一方面降低了熔炼过程的稳定性，另一方面　　增加了劳动强度。在深入研究电子束参数的改变对熔　　　　　　　　　　　体性质和状态影响的基础上，引入自动控制模块，通过　　　　　　　　　　　　　　设定好的程序自动调节电子束功率和运行轨迹，可以　　　对熔炼过程达到精确控制，在提高熔炼过程稳定性的　　　　　同时降低劳动强度。　　电子束技术在冶金精炼领域有广阔的应用，由于　　其在多晶硅、高熔点金属及其合金精炼中的巨大优势，　　　　　　　　　　　　　　　　　成为该领域的研究热点之一。通过引入计算模拟方　　　　　　　　　　法，结合自动化控制技术，发展高效率、低成本、低能耗　　　　　　　　　　　　　　　的电子束熔炼新方法和新工艺，必将推动冶金精炼领　　　　　　　　　　　　　　　域的革新，为新型超洁净材料的开发和电子束技术应　　　　　　用空间的拓展开辟道路。　［１］　［２］　［３］　［４］　［５］　［６］　参考文献　　　　　　　　　　　　　张以忱．电子枪与离子柬技术［Ｍ］．北京：冶金工业出版社，　２００４．３２．　　　　　　　—　ＢＡＫＩＳＨＲ．Ｔｈｅｓｕｂｓｔａｎｃｅｏｆａｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｂｅａｍｍｅｌｔ　　ｉｎｇａｎｄｒｅｆ—　ｉｎｉｎｇ［Ｊ］．ＪＯＭ，１９９８，５０（１１）：２８３０．　　　　　　　　　—　ＳＣＨＩＩＬＥＲＳ，ＨＥＩＳＩＧＵ，ＰＡＮＺＥＲＳ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍＴｅｅｂｎｏｌ　　　　　ｏｇｙ［Ｍ］．ＮｅｗＹｏｒｋ：ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆ＳｏｎｓＩｎｃ，１９８３．２５５．　　　　　　　　　　张文林，孙涛，李娟莹．电子束熔炼及其设备口］．冶金设备，—　　２００３，（４）：３２３４．　　　　　　　　　　　ＺＨＡＮＧＷＩ，ＳＵＮＴ，ＬＩＪＹ．Ｔｈｅｓｍｅｌｔｉｎｇｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ　　　　　ａｎｄｔｈｅｓｍｅｌｔｉｎｇｅｑｕｉｐｍｅｎｔ［Ｊ］．ＭｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌＥｑｕｉｐｍｅｎｔ，２００３，—　　（４）：３２３４．　　　　　　刘春东，张东辉，马轶群，等．电子束熔炼技术及发展趋势浅析　—　［Ｊ］．河北建筑工程学院学报，２００８，２６（４）：６７６８．　　　　　　　　　　　ＬＩＵＣＤ，ＺＨＡＮＦＤＨ，ＭＡＹＱ，ｅｔａ１．Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎ　　　　　　　ｂｅａｍｓｍｅｌｔｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇｔｒｅｎｄ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　　　　　　　ＨｅｂｅｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅａｎｄＣｉｖｉｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８，２６—　　（４）：６７６８．　　　　　马立蒲，刘为超．电子束熔炼技术及其应用［Ｊ］．有色金属加工，—　　２００８，３７（６）：２８３１．　　　　　　　　　　　　　ＭＡＬＰ，ＬＩＵＷＣ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｉｔｓａｐ～　　　　　ｐｌｉｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＭｅｔａｌｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，２００８，３７（６）：２８３１．　　　　　　　［７３ＣＨＯＵＤＨＵＲＹＡ，ＨＥＮＧＳＢＥＲＧＥＲＥ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ　　　　　　　　ａｎｄｒｅｆｉｎｉｎｇｏｆｍｅｔａｌｓａｎｄａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＩＳＩＪＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ１．１９９２．３２—　　（５）：６７３６８ｌ＿　　　　　　　　—　［８］ＹＵＧＥＮ，ＡＢＥＭ，ＨＡＮＡＺＡＷＡＫ，ｅｔａ１．Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｍｅｔ—　　　　　　　　ａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｕｐｔｏｓｏｌａｒｇｒａｄｅ［Ｊ］．ＰｒｏｇｒｅｓｓｉｎＰｈｏｔｏ—　　ｖｏｌｔａｉｃｓ，２００１，９（３）：２０３２０９．　　　　　　　　［９］吕东，马文会，伍继君，等．冶金法制备太阳能级多晶硅新工艺　—　原理及研究进展［Ｊ］．材料导报，２００９，２３（３）：３０３３．　　　　　　　　　　　—　ＬＶＤ，ＭＡＷＨ，ＷＵＪＪ，ｅｔａ１．Ｎｅｗｐｒｏｃｅｓｓｐｒｉｎｃｉｐｌｅａｎｄｒｅ　　　　　　　　　　—　ｓｅａｒｃｈａｄｖａｎｃｅｓｏｆｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆｓｏｌａｒｇｒａｄｅｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｂｙｍｅｔａｌ　　—　ｌｕｒｇｉｃａｌｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｖｉｅｗ，２００９，２３（３）：３０３３．　　　　　　　［１Ｏ３郑淞生，陈朝，罗学涛．多晶硅冶金法除磷的研究进展［Ｊ］．材　—　料导报，２００９，２３（１０）：１１１９．　　　　　　　　　　—　ＺＨＥＮＧＳＳ，ＣＨＥＮＣ，ＬＵＯＸＴ．Ｒｅｓｅａｒｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｉｎｐｈｏｓ　　　　　　ｐｈｏｒｕｓｒｅｍｏｖａｌｂｙｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｒｅｆｉｎｉｎｇ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｖｉｅｗ，—　　２００９，２３（１０）：１１１９．　　　　　［１１］黄莹莹，郭辉，黄建明，等．精炼法提纯冶金硅至太阳能级硅的　—　研究进展［Ｊ］．功能材料，２００７，３８（９）：１３９７１３９９．　　　　　　　　　—　ＨＵＡＮＧＹＹ，ＧＵＯＨ，ＨＵＡＮＧＪＭ，ｅｔａ１．Ａｄｖａｎｃｅｓｉｎｒｅ　　　　　　　　　—　ｓｅａｒｃｈｏｎｕｐｇｒａｄｉｎｇｏｆｓｏｌａｒｇｒａｄｅ（ＳｏＧ）ｓｉｌｉｃｏｎｂｙｒｅｆｉｎｉｎｇｍｅｔ　　　　—　ａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅ（ＭＧ）ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉ　　ａｌｓ，２００７，３８（９）：１３９７一ｌ３９９．　　　　　　　　　［１２］ＩＫＥＤＡＴ，ＭＡＥＤＡＭ．Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｓｉｌｉｃｏｎｆｏｒ　　　　　　　　ｓｏｌａｒ－ｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｂｕｔｔｏｎｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＩＳＩＪＩｎ—　　ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２（５）：６３５６４２．　　　　　　　　　　　　　［１３］ＰＩＲＥＳＪＣＳ，ＢＲＡＧＡＡＦＢ，ＭＥＩＰＲ．Ｐｒｏｆｉｌｅｏｆｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓｉｎ　　　　　　　　　ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓａｍｐｌｅｓｐｕｒｉｆｉｅｄｉｎａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔ　　　　　　ｉｎｇｆｕｒｎａｃｅ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ．２００３，７９—　　（３）：３４７３５５．　　　　　　　　　　—　［１４］ＰＩＲＥＳＪｃＳ，ＯＴＵＢＯＪ，ＢＲＡＧＡＡＦＢ，ｅｔａ１．Ｔｈｅｐｕｒｉｆｉｃａ　　　　　　　　　ｔｉｏｎｏｆｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．　　　　　　—　ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００５，１６９（１）：１６　２Ｏ．　　　　　　　［１５］ＭＩＹＡＫＥＭ，ＨＩＲＡＭＡＴＳＵＴ，ＭＡＥＤＡＭ．ＲｅｍｏｖａＩｏｆｐｈｏｓ　　　　　　　　　　　　ｐｈｏｒｕｓａｎｄａｎｔｉｍｏｎｙｉｎｓｉｌｉｃｏｎｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇａｔｌｏｗ　　　　　　　ｖａｃｕｕｍ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＪａｐａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｅｔａｌｓ，２００６，７０—　　（１）：４３４６．　　　　　　　　—　［１６］ＯＳＯＫＩＮＶＡ，ＳＨＰＡＫＰＡ，ＩＳＨＣＨＥＮＫＯＶＶ．Ｅ１ｅｃｔｒ。ｎ　　　　　　　　　　ｂｅａｍｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｒｅｆｉｎｉｎｇｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ１ｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｔｏｂｅｕｓｅｄｉｎ　　　　　ｓｏｌａｒｐｏｗｅｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｓｔ，２００８，５２（１２）：１２１—　１２７．　　　　　　　　　　　　［１７］ＬＵＯＤＷ，ＬＩＵＮ，ＬｕＹＰ，ｅｔａ１．Ｒｅｍｏｖａｌｏｆｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓｆｒｏｍ　　　　　　　ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，２０１１，３２（３）：０３３００３．　　　　　［１８］徐云飞，谭毅，姜大川，等．冶金法制备多晶ｓｉ杂质去除效果研　—　究［Ｊ］．特种铸造及有色合金，２００７，２７（９）：７３０７３２．　　　　　　　　　　ＸＵＹＦ，ＴＡＮＹ，ＪＩＡＮＧＤＣ，ｅｔａ１．Ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｒｅｍｏｖａｌｉｎ—　　　　　—　ｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｓｉｌｉｃｏｎｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｓｐｅ　　　—　ｅｉａｌＣａｓｔｉｎｇ＆ＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＡｌｌｏｙｓ，２００７，２７（９）：７３０７３２．　　　　　　　［１９］董伟，王强，彭旭，等．电子束熔炼冶金级硅除铝研究［Ｊ］．材料　　—　研究学报，２０１０，２４（６）：５９２５９６．　　　　　　　　ＤＯＮＧＷ，ＷＡＮＧＱ，ＰＥＮＧＸ，ｅｔａ１．Ａｌｕｍｉｎｕｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　　　电子束技术在冶金精炼领域中的研究现状和发展趋势　９９　［２Ｏ］　［２１］　［２２］　［２３３　［２４２　［２５３　［２６３　［２７２　［２８］　［２９３　［３ｏ２　［３１］　　　　　　　　ｆｒｏｍｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｓｉｌｉｃｏｎｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．　　　　—　　ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｓｅａｒｃｈ，２０１０，２４（６）：５９２５９６．　　　　　　　　　ＤＯＮＧＷ，ＷＡＮＧＱ，ＰＥＮＧＸ，ｅｔａ１．Ｒｅｍｏｖａｌｏｆｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ　　　　　　　　ｉｎｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｕｓｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．　　　　—　—　　ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅＦｏｒｕｍ，２０１１，６７５５７７：４５４８．　　　　　　　　ＷＡＮＧＱ，ＤｏＮＧＷ，ＴＡＮＹ，ｅｔａ１．Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　—　　　　　　　ｆｒｏｍｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｓｉｌｉｃｏｎｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｎａｍｅｌｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ　—　［Ｊ］．ＲａｒｅＭｅｔａｌｓ，２０１１，３０（３）：２７４２７７．　　　　　姜大川，谭毅，董伟，等．电子束束流密度对冶金硅中杂质磷的　—　影响［Ｊ］．材料工程，２Ｏ１０，（３）：１８２１．　　　　　　　　　　ＪＩＡＮＧＤＣ，ＴＡＮＹ，Ｄ０ＮＧＷ，ｅｔａ１．Ｅｆｆｅｃｔｏｆｂｅａｍｄｅｎｓｉｔｙ　　　　　　　　　ｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｏｎｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓｉｍｐｕｒｉｔｙｉｎｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅ　　　—　ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１０，（３）：１８２１．　　　　　　　　　—　ＨＡＮＡＺＡＷＡＫ，ＹＵＧＥＮ，ＫＡＴＯＹ．Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｏｆｐｈｏｓ　　　　　　　　　　　ｐｈｏｒｕｓｉｎｍｏｌｔｅｎｓｉｌｉｃｏｎｂｙａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ　—　［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ，２００４。４５（３）：８４４８４９．　　　姜大川，董伟，谭毅，等．电子束熔炼多晶硅对杂质铝去除机制　—　研究Ｉ－ｊ］．材料工程，２０１０，（８）：８１１．　　　　　　　　　ＪＩＡＮＧＤＣ，ＤＯＮＧＷ，ＴＡＮＹ，ｅｔａ１．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎｒｅｍｏｖａｌ　　　　　　　　　　ｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｉｍｐｕｒｉｔｙｉｎｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎ　　　　　ｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１０，（８）：８—　１］．　　　　　　　　　彭旭，董伟，谭毅，等．电子柬熔炼冶金级硅中杂质钙的蒸发行　—　为［Ｊ］．功能材料，２０１０，４１（ｓ１）：１１７１２０．　　　　　　　　　　　　　ＰＥＮＧＸ，ＤＯＮＧＷ，ＴＡＮＹ，ｅｔａ１．Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｂｅｈａｖｉｏｒｏｆ　　　　　　　　　ｃａｌｃｉｕｍｉｎｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｓｉｌｉｃｏｎｂｙａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ　　　　ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０１０，４１（Ｓ１）：ｌ１７—　１２０．　　　　　　　　王强，董伟，谭毅，等．电子束熔炼去除冶金级硅中磷、铝、钙的　　研究［Ｊ］．功能材料，２０１０，４１（Ｓ１）：１４４～１４７．　　　　　　　　　—　ＷＡＮＧＱ，ＤＯＮＧＷ，ＴＡＮＹ，ｅｔａ１．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒｅ　　　　　　　　ｍｏｖａｌｏｆｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ，ａｌｕｍｉｎｕｍ，ｃａｌｃｉｕｍｆｒｏｍｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ　　　　　　　—　ｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｕｓｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＦｕｎｃ　　—　　ｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０１０，４１（Ｓ１）：１４４１４７．　　　　　　　　Ｄ０ＮＧＷ，ＰＥＮＧＸ，ＪＩＡＮＧＤＣ，ｅｔａ１．Ｃａｌｃｉｕｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　　　　　　　　　ｆｒｏｍｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．　　　　—　—　　ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅＦｏｒｕｍ，２０ｌ１，６７５５７７：４１４４．　　　　　　　　　　　ＰＥＮＧＸ，ＤＯＮＧＷ，ＴＡＮＹ，ｅｔａ１．Ｒｅｍｏｖａｌｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｆｒｏｍ　　　　　　—　ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｕｓｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．Ｖａｃ　—　　ｕｕｍ，２０１１，８６（４）：４７１４７５．　　　　　张英明，周廉，孙军，等．钛合金电子束冷床熔炼研究进展［Ｊ］．　　　　　—　　钛工业进展，２００８，２５（４）：１４１９．　　　　　　　　ＺＨＡＮＧＹＭ，ＺＨＯＵＬ，ＳＵＮＪ，ａｔａ１．Ｒｅｓｅａｒｃｈｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　　　　　　　　　ｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃｏｌｄｈｅａｒｔｈｒｅｍｅｌｔｉｎｇｏｆＴｉａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．Ｔｉｔａｎｉｕｍ　—　　ＩｎｄｕｓｔｒｙＰｒｏｇｒｅｓｓ，２００８，２５（４）：１４１９．　　　　　　　—　　ＬＡＮＤＩＧＴ。ＭＣＫ０ＯＮＲ，Ｙ０ＵＮＧＭ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ　　　　　　ｏｆＴｉ一６ＡＩ一４Ｖ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，—　　ｌ９７７，１４（３）：８０８８１４．　　　　陈峰，陈丽，国斌，等．电子束冷床熔炼的优与劣［Ｊ２．中国有色　—　金属学报，２０１０，２０（Ｓ１）：８７３８７６．　　　　　　　　　—　ＣＨＥＮＦ，ＣＨＥＮＩ，ＧＵＯＢ，ｅｔａ１．Ａｄｖａｎｔａｇｅｓａｎｄｄｉｓａｄｖａｎｔａ　　　　　　　　—　ｇｅｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃｏｌｄｈｅａｒｔｈｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＴｈｅＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒ　　　　　　ｎａｌｏｆＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＭｅｔａｌｓ，２０１０，２０（Ｓ１）：８７３～８７６．　［３２］　［３３］　［３４］　［３５］　［３６３　［３７］　［３８］　［３９］　［４Ｏ］　［４１］　［４２］　［４３３　［４４］　　　　　罗雷，于兰兰．雷文光，等．电子束冷床熔炼ＴＣ４合金元素挥发　　　—　机制研究［Ｊ］．稀有金属材料与工程，２０１１，４０（４）：６２５６２９．　　　　　　　　　　　　　ＬＵ０Ｌ，ＹＵＬＬ，ＬＥＩＷＧ，ｅｔａ１．Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　　　　　　　　　　　ｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｅｌｅｍｅｎｔｓｉｎＴＣ４ａｌｌｏｙｓｄｕｒｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃｏｌｄ　　　　　　ｈｅａｒｔｈｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＲａｒｅＭｅｔａｌＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１ｌ，　　４Ｏ（４）：６２５～６２９．　　　　　韩明臣，张英明，周义刚，等．ＴＣ４合金电子束冷床熔炼过程中　　　ＬＤＩ和ＨＤＩ的去除ＥＪ］．稀有金属材料与工程，２００８，３７（４）：６６５—　６６９．　　　　　　　　　　　　　ＨＡＮＭＣ，ＺＨＡＮＧＹＭ，ＺＨＯＵＹＧ，ｅｔａ１．Ｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎｏｆ　　　　　　　　　　　　ＩＤＩａｎｄＨＤＩｉｎＴＣ４ａｌｌｏｙｄｕｒｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃｏｌｄｈｅａｒｔｈ　　　　　ｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＲａｒｅＭｅｔａｌＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８，３７（４）：—　　６６５６６９．　　　　　　　　　　　　ＭＩＴＣＨＥＬＬＡ．Ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇａｎｄｒｅｆｉｎｉｎｇｏｆｔｉｔａ　　　　　ｎｉｕｍａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ：Ａ，１９９９，２６３—　　（２）：２１７２２３．　　　　　　　　　　　　　１ＳＡＷＡＴ，ＮＡＫＡＭＵＲＡＨ，ＭＵＲＡＫＡＭＩＫ．Ａｌｕｍｉｎｕｍ　　　　　　　　　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｆｒｏｍｔｉｔａｎｉｕｍａｌｌｏｙｓｉｎＥＢｈｅａｒｔｈｍｅｌｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ　—　ＥＪ］．ＩＳＩＪＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２（５）：６０７６１５．　　　　　　　　　ＺＨＡＮＧＹＭ，ＺＨＯＵＬ，ＳＵＮＪ，ｅｔａ１．Ａｎｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎ　　　　　　　　　ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃｏｌｄｈｅａｒｔｈｍｅｌｔｉｎｇｏｆＴｉ６４ａｌｌｏｙ［Ｊ］．ＲａｒｅＭｅｔａｌ　　　—　　ＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８，３７（１１）：１９７３１９７７．　　　　　　　　　　　　　ＷＡＴＡＫＡＢＥＳ，ＳＵＺＵＫＩＫ，ＮＩＳＨＩＫＡＷＡＫ．Ｃｏｎｔｒｏｌｏｆ　　　　——‘　　　　　　—　ｃｈｅｍｉｃａｌｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓｏｆＴｉ－６ＡＩ４Ｖａｌｌｏｙｄｕｒｉｎｇｍｅｌｔｉｎｇｂｙｅｌｅｃ－　　　—　ｔｒｏｎｂｅａｍｆｕｒｎａｃｅ［Ｊ］．ＩＳＩＪＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２（５）：６２５　６２９．　　　　　　　　　　　　　　ＩＶＡＮＣＨＥＮＫｏＶＧ，ＩＶＡＳＩＳＨＩＮ０Ｍ，ＳＥＭＩＡＴＩＮＳＩ．　　　　　—　　　　Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｌｏｓｓｅｓｄｕｒｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｏｆ——　　　　　　ＴｉＡｌＶａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＭｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＢ，　　　２００３，３４（６）：９Ｈ一９１５．　　　　　　　　　　　　—　ＡＫＨ０ＮＩＮＳＶ，ＴＲＩＧＵＢＮＰ，ＺＡＭＫ０ＶＶＮ，ｅｔａ１．Ｍａｔｈｅ　　　　　　　—　ｍａｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｄｕｒｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ—　　　　　　ｃｏｌｄｈｅａｒｔｈｍｅｌｔｉｎｇｏｆＴｉ一６ＡＩ一４Ｖｉｎｇｏｔｓ［Ｊ２．Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌａｎｄ　　　—　　ＭａｔｅｒｉａｌｓＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＢ，２００３，３４（４）：４４７４５４．　　　　　　　　　　　　　ＳＥＭＩＡＴＩＮＳＬ，ＩＶＡＮＣＨＥＮＫ０ＶＧ，ＡＫＨ０ＮＩＮＳＶ，ｅｔａＩ．　　　　　　—　Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎｍｏｄｅｌｓｆｏｒｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｌｏｓｓｅｓｄｕｒｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ　　—　　　　ｍｅｌｔｉｎｇｏｆａｌｐｈａ／ｂｅｔａｔｉｔａｎｉｕｍａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＭｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌａｎｄＭａ　　—　　ｔｅｒｉａｌｓＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＢ，２００３，３５（２）：２３５２４５．　　　　　　　　　　—　ＮＡＫＡＭＵＲＡＨ．ＭＩＴＣＨＥＬＬＡ．Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｂｅａｍｏｓｃｉｌｌａ　　　　　　　——　　　　—　ｔｉｏｎｒａｔｅｏｎＡ１ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｆｒｏｍａＴｉ－６Ａ１－４Ｖａｌｌｏｙｉｎｔｈｅｅｌｅｃ－　　　　　ｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．ＩＳＩＪＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２（５）：——　５８３５９２．　　　　　　　Ｐ０ＷＥＬＬＡ，ＶＡＮＤＥＮＡＶＹＬＥＪ，ＤＡＭＫＲＯＧＥＲＢ，ｅｔａ１．　　　　　　　　　Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｍｕｌｔｉｃｏｍｐｏｎｅｎｔｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ　　　　　　　ａｎｄｒｅｆｉｎｉｎｇｏｆｔｉｔａｎｉｕｍａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＭｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ　—　　ＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＢ，１９９７，２８（６）：１２２７１２３９．　　　　　　ＢＥＬＬＯＴＪＰ，ＨＥＳＳＥ，ＡＢＬＩＴＺＥＲＤ．Ａｌｕｍｉｎｕｍｖｏｌａｔｉｌｉｚａｔｉｏｎ　　　　　　　　　　　　　ａｎｄｉｎｃｌｕｓｉｏｎｒｅｍｏｖａｌｉｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃｏｌｄｈｅａｒｔｈｍｅｌｔｉｎｇｏｆ　　　　　　Ｔｉａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＭｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＢ，２０００，—　　３１（４）：８４５８５４．　　　　　　　　　　　　　　ＺＨＵＫＨＶ，ＫＯＢＲＹＮＰＡ．ＳＥＭ１ＡＴＩＮＳＬ．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆ　　　　　　　　　ｈｅａｔｉｎｇａｎｄｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｎｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｓｕｒｆａｃｅ　　—　　—　　　ｑｕａｌｉｔｙｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｅｄＴｉ一６Ａ１４Ｖｉｎｇｏｔｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　１００　　　材料工程／２０１３年８期　　　—　—　　ＭａｔｅｒｉａｌｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００７，１９０（１３）：３８７３９２．　　　　　　　　［４５３胡忠武，李中奎，张小明．钽及钽合金的工业应用和进展［Ｊ］．　　稀有金属快报，２００４，２３（７）：８一１０．　　　　　　　　　　　　—　ＨＵＺＷ，ＬＩＺＫ。ＺＨＡＮＧＸＭ．Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎａｎｄｐｒｏ　　　　　　　　ｇｒｅｓｓｏｆｔａｎｔａｌｕｍａｎｄｔａｎｔａｌｕｍａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＲａｒｅＭｅｔａｌｓＬｅｔｔｅｒｓ，—　　２００４，２３（７）：８１０　　　　　　—　［４６］阎洪．真空扫描电子束提纯新技术［Ｊ］．真空，２０００，（３）：４５　４７．　　　　　　　　　　ＹＡＮＨ．Ｎｅｗｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆｖａｃｕｕｍｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｔｏｒｅｆｉｎｅ　ｍｅｔａｌ［Ｊ］．Ｖａｃｕｕｍ，２０００，（３）：４５～４７．　　　　　　　　—　［４７］ＣＨＯＩＧＳ，ＬＩＭＪＷ，ＭＵＮＩＲＡＴＨＮＡＭＮＲ，ｅｔａ１．Ｐｒｅｐａｒａ　　　　　　　　　ｔｉｏｎｏｆ５Ｎｇｒａｄｅｔａｎｔａｌｕｍｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　　　—　　　ｏｆＡｌｌｏｙｓａｎｄＣｏｍｐｏｕｎｄｓ，２００９，４６９（１２）：２９８～３０３．　　　　　　—　［４８］ＶＵＴ０ＶＡＫ，ＶＡＳＳＩＬＥＶＡＶ，Ｋ０ＬＥＶＡＥ，ｅｔａ１．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａ　　　　　　　　　　—　ｔｉｏｎｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇａｎｄｒｅｆｉｎｉｎｇｏｆｔｉｔａｎｉｕｍａｎｄｔａｎｔａ　　　　　　ｌｕｍｓｃｒａｐ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，—　　２０１０，２１０（８）：１０８９１０９４．　　　　［４９］石应江．高纯铌的制备［Ｊ］．稀有金属与硬质合金，１９９５，（１）：４１—　４８．　　　　—　　　ＳＨＩＹＪ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆｈｉｇｈｐｕｒｉｔｙｎｉｏｂｉｕｍ［Ｊ］．ＲａｒｅＭｅｔａｌｓ　　—　　ＡｎｄＣｅｍｅｎｔｅｄＣａｒｂｉｄｅｓ，１９９５，（１）：４１４８．　　　　　　　　　　　　　　［５ｏ］董秀春．功能材料高纯铌的制备和应用［Ｊ］．新疆有色金属，—　　１９９６，（２）：４３４７．　　　　　　　　　　　—　［５１］ＯＮＯＫ，ＨＷＡＮＫＹ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇａｎｄｒｅｆｉｎｉｎｇｏｆｎｉ　—　ｏｂｉｕｍ［Ｊ］．ＩＳＩＪＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２（５）：６５０６５５．　　　　　　　［５２３ＦＵＫＵＭＯＴＯＳ，ＮＡＫＡＯＲ，ＦＵ儿Ｍ，ｅｔａ１．Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｃｏｎ～　　　　　　　　　　ｔｒｏｌｏｆｒｅｆｒａｃｔｏｒｙａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｍｅｔａｌｓｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ　—　ＬＪ］．ＩＳＩＪＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２（５）：６６４６７２．　　　　　　　　　　［５３］ＣＨＯＩＧＳ，ＬＩＭＪＷ，ＭＵＮＩＲＡＴＨＮＡＭＮＲ，ｅｔａ１．Ｐｕｒｉｆｉｃａ～　　　　　　　　　ｔｉｏｎｏｆｎｉｏｂｉｕｍｂｙｍｕｌｔｉｐｌｅｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｆｏ￣＇ｓｕｐｅｒｃｏｎ　　　　　　ｄｕｃｔｉｎｇＲＦｃａｖｉｔｉｅ［Ｊ］．ＭｅｔａｌｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２００９，—　　１５（３）：３８５３９０．　　　　［５４］朱利安，杨盛良，白书欣，等．铱及其合金的加工及应用［Ｊ］．贵　　—　　金属，２００９，３０（４）：５８６２．　　　　　　　　　　—　ＺＨＵＬＡ，ＹＡＮＧＳＬ，ＢＡＩＳＸ。ｅｔａ１．Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇａｎｄａｐｐｌｉｃａ　　　　　　ｔｉｏｎｏｆｉｒｉｄｉｕｍａｎｄＩｒ－ａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＰｒｅｃｉｏｕｓＭｅｔａｌｓ，２００９，３Ｏ（４）：５８—　６２．　　　　　　　　　　—　［５５３ＯＨＲＩＮＥＲＥＫ．Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｉｒｉｄｉｕｍｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔ　　　　—　ｉｎｇ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｌｌｏｙｓａｎｄＣｏｍｐｏｕｎｄｓ，２００８，４６１（１２）：６３３—　６４０．　　　　　　［５６］钟培全．钼与钼合金的应用及其加工方法［Ｊ］．中国钼业，２０００，—　　２４（５）：１５１６．　　　　　　　—　ＺＨＯＮＧＰＱ．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍａｎｄｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍａｌ　　　　　　—　ｌｏｙｓａｎｄｔｈｅｉｒｗｏｒｋｉｎｇｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．ＣｈｉｎａＭｏｌｙｂｄｅｎｕｍＩｎｄｕｓ　　ｔｒｙ，２０００，２４（５）：Ｉ５一ｉ６．　　　　　　　　　　［５７３史青，谷洪刚，宋月清，等．电子束熔炼法钼电极的特性分析　—　［Ｊ］．有色金属，２０００，（６）：４３４５．　　　　　　　—　［５８］熊炳昆．金属铪的应用［Ｊ］．稀有金属快报，２００５，２４（５）：４６　４７．　　　　［５９３王华森．铪的电子束熔炼［Ｊ］．稀有金属合金加工，１９８１，（２）：１６一　ｌ９．　　　　　　　　　［６ｏ］李正邦．超洁净钢的新进展［Ｊ］．材料与冶金学报，２００２，（３）：—　　１６１１６５．　　　　　　　　　—　ＬＩＺＢ．Ｎｅｗｐｒｏｇｒｅｓｓｏｆｓｕｐｅｒｃｌｅａｎｓｔｅｅｌ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉ　　　—　　ａｌｓａｎｄＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ，２００２，（３）：１６１１６５．　　　　　　　［６１］ＮＡＫＡＯＲ，ＦＵＫＵＭＯＴＯＳ，ＭＵＲＡＴＡＷ，ｅｔａ１．Ｒｅｍｏｖａｌｏｆ　　　　　　　　—　ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｓｉｎｓｔａｉｎｌｅｓｓｓｔｅｅｌｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＩＳＩＪＩｎ—　　ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２（５）：６９３６９９．　　　　　　　　　［６２３ＮＡＫＡＯＲ，ＦＵＫＵＭＯＴＯＳ，ＦＵＪＩＭ，ｅｔａ１．Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｏｆａｌ　　　　　　　　　　　ｌｏｙｉｎｇｅｌｅｍｅｎｔｓａｎｄｂｅｈａｖｉｏｒｏｆｄｅｇａｓｓｉｎｇｒｅａｃｔｉｏｎｓｏｆｈｉｇｈｃｈｒｏ　　　　　　　　ｍｉｕｍｓｔｅｅｌｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ［Ｊ］．ＩＳＩＪＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，—　　１９９２，３２（５）：６８５６９２．　　　　　　　　—　［６３］ＭＡＩＪＥＲＤＭ，ＩＫＥＤＡＴ，ＣＯＣＫＣＲＯＦＴＳＬ，ｅｔａ１．Ｍａｔｈｅ　　　　　　　　　ｍａｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｒｅｓｉｄｕａｌｓｔｒｅｓｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ　　　　　　　　　　—　ｒｅｍｅｌｔｉｎｇａｎｄｒｅｆｉｎｉｎｇｏｆｓｃｒａｐｓｉｌｉｃｏｎｆｏｒｔｈｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆｓｏｌａｒ　　　　　　ｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＡ，２００５，３９０—　—　　（１２）：１８８２０１．　　　　　［６４］王步根，黄以平．电子束熔炼多晶硅温度场的数值模拟［Ｊ］．能　—　源技术，２００９，３０（６）：３２８３３０．　　　　　　　　　　—　ＷＡＮＧＢＧ，ＨＵＡＮＧＹＰ．Ｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｆｏｒｔｅｍｐｅｒａ　　　　　　　—　ｔｕｒｅｆｉｅｌｄｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．ＥｎｅｒｇｙＴｅｃｈ—　ｎｏｌｏｇｙ，２００９，３０（６）：３２８３３０．　　　　　　　［６５］罗雷，毛小南，雷文光，等．电子束冷床熔炼ＴＣ４合金温度场　—　模拟口］．中国有色金属学报，２０１０，（Ｓ１）：４０４４０９．　　　　　　　　　　　　　　—　ＬＵＯＬ，ＭＡ０ＸＮ，ＬＥＩＷＧ，ｅｔａ１．Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｉｅｌｄｓｉｍｕｌａ　　　　　　　　　ｔｉｏｎｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃｏｌｄｈｅａｒｔｈｍｅｌｔｉｎｇＴＣ４ａｌｌｏｙ［Ｊ］．Ｔｈｅ　　　　—　ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＭｅｔａｌｓ，２０１０，（Ｓ１）：４０４４０９．　　　　　　［６６］雷文光，于兰兰，毛小南．电子束冷床熔炼ＴＣ４钛合金连铸凝　—　固过程数值模拟［Ｊ］．中国有色金属学报，２０１０，（ｓ１）：３８１３８６．　　　　　　　　　　　　　—　ＬＥＩＷＧ，ＹＵＬＬ．ＭＡ０ＸＮ．Ｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆｃｏｎｔｉｎ　　　　　　　　　ＵＯＵＳｃａｓｔｉｎｇｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｏｆＴＣ４ｔｉｔａｎｉｕｍａｌｌｏｙｄｕｒｉｎｇ　　　　　　ＥＢＣＨＭ［Ｊ］．ＴｈｅＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＭｅｔａｌｓ，２０１０，—　　（Ｓ１）：３８１３８６．　　　　　　　——　［６７３ＲＩＴＣＨＩＥＭ，ＬＥＥＰＤ，ＭＩＴＣＨＥＬＬＡ，ｅｔａ１．Ｘｒａｙｂａｓｅｄ　　　　　　　　　—　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｆｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｄｕｒｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｏｆＡＩ　　　　　　　　—　ＳＩ３１６ｓｔａｉｎｌｅｓｓｓｔｅｅｌ！ｐａｒｔＩＩ．ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅｐｒｏｃｅｓｓｅｓａｎｄｓｉｍｕｌａ　　　　　ｔｉｏｎ［Ｊ］．ＭｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓＡ，２００３，３４—　　（３）：８６３８７７．　　　　　　　　　　　［６８］ＪＩＡＮＧＤＣ，ＴＡＮＹ，ＳＨＩＳ，ｅｔａ１．Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｎａｎｅｗｍｅｔｈ０ｄ　　　　　　　　　　　　ｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｃａｎｄｌｅｍｅｌｔｉｎｇｕｓｅｄｆｏｒｔｈｅｒｅｍｏｖａｌｏｆＰｆｒｏｍ　　　　ｍｏｌｔｅｎＳｉ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｎｏｖａｔｉｏｎｓ，２０１１，１５（６）：４０６～　４０９．　　　　基金项目：国家自然科学基金资助项目（５１Ｏ７４Ｏ３２）　——　　—　收稿日期：２０１２０２１７；修订日期：２０１３－０１１４　　　　　　作者简介：谭毅（１９６１一），男，教授，主要从事冶金法提纯多晶硅及多晶　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　硅制造设备的研究，联系地址：大连理工大学新三束实验室２０７　—　（１１６０２４），Ｅｍａｉｌ：ｔａｎｙｉ＠ｄｌｕｔ．ｅｄｕ．ａｎ