电子束熔炼多晶硅对杂质铝去除机制研究.pdf

　８　　　材料工程／２０１０年８期　电子束熔炼多晶硅对杂质铝去除机制研究　　　　　　　　　ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎＲｅｍｏｖａｌｏｆＡｌｕｍｉｎｕｍＩｍｐｕｒｉｔｙｉｎＭｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ　　　　　　ＧｒａｄｅＳｉｌｉｃｏｎｂｙＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍＭｅｌｔｉｎｇ　　　　　　　　　　　　　姜大川，董伟。，谭毅。，王强，彭旭。，李国斌　　　　　　　　　　（１辽宁省太阳能光伏系统重点实验室，辽宁大连１１６０８５；　　　　　　　　　　２大连理工大学材料学院，辽宁大连１１６０８５）　—　　　　　　　　　　　　　　　—　儿ＡＮＧＤａｃｈｕａｎ。，ＤＯＮＧＷｅｉ，ＴＡＮＹｉ，ＷＡＮＧＱｉａｎｇ，ＰＥＮＧＸｕ，ＬＩＧＵＯｂｉｎ　　　　　　　　　　　（１ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｙｓｔｅｍｏｆＬｉａｏｎｉｎｇＰｒｏｖｉｎｃｅ，　　　　　　　　　　　Ｄａｌｉａｎ１１６０８５，Ｌｉａｏｎｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ；２ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　　　　　　　ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｄａｌｉａｎ１１６０８５，Ｌｉａｏｎｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ）　　　　　　　　　　　　　摘要：采用电子束熔炼方式，利用铝的蒸发系数较大的特点通过蒸发去除硅中的杂质铝。将实验的实测值与理论计算　　　　　　　　　　　　　　的蒸发量、损失量等加以比较，得到了铝在电子束下的蒸发去除速率由其在硅中扩散过程所决定的结论，并对铝的去除　　　量与硅的损失量之间关系进行分析。　　　　关键词：多晶硅；铝；电子束熔炼　　中图分类号：ＴＦ１１４．１７　　文献标识码：Ａ　——　文章编号：１００１４３８１（２０１０）０８０００８－０４　　　　　　　　　　　　　—　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｌｕｍｉｎｕｍｉｍｐｕｒｉｔｙｗｉｔｈｈｉｇｈｖａｐｏｒｐｒｅｓｓｕｒｅｉｎｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｓｒｅｍｏｖｅｄｅｆ　　　　　　　　　　　　　　ｆｅｃｔｉｖｅｌｙｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ．Ｃｏｍｐａｒｉｎｇｔｈｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄｖａｌｕｅａｎｄｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｌｏｓｓ，　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｏｆｔｈｅｍｏｌｔｅｎｓｉｌｉｃｏｎｃａｎｂｅａｓｓｕｍｅｄｔｈａｔ　　—　　　　　　　　　　　　　—　ｔｈｅｒｅｍｏｖａｌｒａｔｅｌｉｍｉｔｉｎｇｓｔｅｐｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｉｍｐｕｒｉｔｙｉｎｓｉｌｉｃｏｎｉｓｄｉｆｆｕｓｉｏｎｓｔｅｐ．Ｉｎａｄｄｉｔｉｏｎ，ｔｈｅｒｅｌａ　　　　　　　　　　　　　　　ｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｒｅｍｏｖａｌａｍｏｕｎｔｏｆｔｈｅａｌｕｍｉｎｕｍａｎｄｓｉｌｉｃｏｎｌｏｓｓｉｓａｌｓｏｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．　　　　　　　　　Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎ；ａｌｕｍｉｎｕｍ；ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ　　随着光伏产业的快速发展与太阳能电池使用的普　　　　　　　　　　　　及，需要大量的纯度为９９．９９９９（质量分数，下同）的　　　　　　　　　　　　　太阳能级多晶硅材料作为电池基板的材料＿】］，在这种　　　　　　　　　　　　背景下，成本较低、环境污染小的冶金法制备的多晶硅　　　　　　　　　技术越来越受到关注２］。铝是工业硅中的主要杂质元　　素，直接影响了硅材料的电阻率和少数载流子寿命，一　　　般认为太阳能级硅材料需要将杂质铝降低到１０　　　　　　　　　　　　　以下ｒ３］。由于杂质铝在硅凝固过程中存在分凝效应，　　　　　　　　　　现在工业生产和科研中广泛采用定向凝固的方式去除　　　“　　　　　　　　　　　硅中的杂质铝＿３］。但铝的分凝系数较大，一次定向　　　　　　　　　　　　　凝固远不能满足纯度要求，因此往往采用多次定向凝　　固，提高了提纯成本。电子束熔炼作为冶金法的重要　　　　手段，通常用于对硅中杂质磷的去除］，但杂质磷与铝　　　都具有饱和蒸气压高的特点，如果对经定向凝固处理　　　　的硅材料应用电子束熔炼，将会进一步去除杂质铝，减　　　　　　少定向凝固次数，降低提纯成本。　　　　　　　　　本工作是对冶金法去除挥发性金属杂质铝的一种　　　　新探索，在定向凝固基础上，将硅中的挥发性杂质铝降　　低到１０　时，进一步采用电子束对多晶硅材料进行　　熔炼，可以在电子束去除杂质磷的同时进一步降低杂　　　　质铝的含量，达到太阳能级硅的要求。本工作探讨了　　　　　　　　　　　　电子束对杂质铝的去除效果，分析了去除机理，并与电　　　　　　　　　　　子束除磷的机理进行比较。实验还进一步研究了铝的　　　　去除率与硅的损失量之间的关系，分析电子束除铝的　　可行性。　　　　１实验材料及方法　　　　　　　　　　　　　　　　　实验采用通过真空熔炼处理后的硅料（纯度为　　　　　　　　　　　９９．９９，其中铝的含量为０．０００２２），用１．４ｍｏｌ／Ｌ　　的盐酸（分析纯）、０．５ｍｏｌ／Ｌ的氢氟酸（分析纯）１：１　　　　　　　　　　　配比清洗液］，在超声振荡下将硅料清洗１５ｍｉｎ，保证　　　硅材料表面清洁，消除取样过程中带来的表面污染。　　　实验所用的电子束熔炼炉如图１所示，将清洗后　　　　　　　　　　　　的硅料装入水冷铜坩埚中，用机械泵、罗兹泵和扩散泵　　　分别抽炉体和电子枪真空，约４０ｍｉｎ后炉体和电子枪　　　　　　　　　　　　　　的真空度达到１ＯＰａ。设置电子枪的参数，高压　　　　　　３Ｏｋｗ，束流密度５００ｍＡ，电子束光斑形态为圆形，以　　　　电子束熔炼多晶硅对杂质铝去除机制研究　９　　　便使电子束在熔炼过程中始终以圆形光斑的状态轰击　　　　　到硅料表面，保证硅料受热均匀、稳定。启动熔炼系　　　　　　　　　　　　　统，通过观察窗观察熔炼过程中硅的状态，共进行两次　　　　实验，分别熔炼１５，３０ｍｉｎ，实验结束后冷却电子枪及　　　扩散泵，０．５ｈ后打开炉体，取出硅锭。　　Ｃｏｏｌｉｎｇｗａｔｅｒ　　　　图１电子束设备构造图　　　　　　　　　Ｆｉｇ．１Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　　　　　　　　　　　　实验后得到的硅锭致密，呈铁饼状，表面有金属光　　　　　　　　　　　　　　泽，中心部位有一定突起。将硅锭用金刚石切割机取　　　—　　　样，并使用ＥＬＡＮＤＲＣＩＩ型电感耦合等离子质谱仪—　设备（ＩＣＰＭＳ）进行纯度分析。　　２结果与讨论　　　　　　　　２．１熔硅中铝的理论蒸发系数　　　　　　　　　　设开始时有Ａ（ｇ）铝和Ｂ（ｇ）硅，真空处理后，ｚ（ｇ）　　　　　　铝和（ｇ）硅蒸发，因为铝是以单原子气体为生成物，　Ⅲ　　根据Ｏｌｅｔｔｅ方程可得到如下等式：一　１一（１一车）　（１）　√　　　　式中：一・，蒸发系数，是衡量溶质原子　　　　　　蒸发程度的物理量，其中ＭＡ。，Ｍｉ分别为铝和硅的原　　　　　　　　子量，根・为铝的活度系数，Ｐ。和Ｐ。为铝和硅的饱和　　　　蒸气压（Ｐａ）。一般认为，当＞１０时杂质可以有效被　　　　　　　　　　　　　　　去除，１＜＜１０时，杂质去除效果不明显，＜１时，杂　　　质被浓缩，基体溶剂的蒸发量大于溶质引。　　　　　　　　　　　　熔硅中铝的活度系数），。与温度Ｔ的关系为：　ｌｇＴ￣Ａｌ一一　　　＋０．２３６Ｅ　（２）　　　　　　　　　　　铝的蒸气压Ｐ－可以有两种方法获得：　　　第一种方法是由液态铝到气态铝的吉布斯自由能　　　变求得：　　　　Ａｌ（ｇ）一Ａ１（ｍａｓｓｆｒａｃｔｉｏｎ，ｉｎＳｉ）　（３）△　　　Ｇ。Ａ１一一３３５０００＋７６．５Ｔ（Ｊ／ｍｏ１）ｌ９ｊ　（４）　　　　　　　　　　　　　将方程（４）中铝以质量为标准的吉布斯自由能变　　转化为以摩尔量为标准（Ｘ表示摩尔量标准），则可推　　　导出方程（５）：　　　Ａｌ（ｇ）一Ａ１（Ｘ，ｉｎＳｉ）　（５）△　　　Ｇｌ一一３３５０００＋１２５．５（±　　　　３）Ｔ（Ｊ／ｍｏ１）（６）　　　　　　　　　　　　　　由从气态到摩尔量为标准的吉布斯自由能变为—　ＡＧｏｌＲＴｌｎ（面）ＵＡＩ），　　　　　其中Ｒ为气体常数，Ｐ。为ＡＩ的气　　　　　　　　　　态蒸气压，Ｔ为温度（Ｋ），可求出铝的蒸气压Ｐ　　第二种方法是由铝的饱和蒸气压公式得到：　　ｌｇＰＡｌ一一　　　　一ｌｏｇｒ＋１４．４５　（７）　　　　　　　　　　　　两种方法获得的铝的蒸发系数与温度的关系如图　　　　　　２所示。可以看出二者具有相同的趋势，并且蒸发系　　　数均远大于１Ｏ，可见硅中杂质铝在理论上可以通过　　　　　　　蒸发的方式加以去除。　　　　　　图２铝在硅中的蒸发系数与温度之间的关系　　　　　　Ｆｉｇ．２Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　　　　　　　　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｉｎｓｉｌｉｃｏｎａｎｄｔｈｅ　　　　　　ｓｕｒｆａｃｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆｔｈｅｍｅｌｔｉｎｇｓｉｌｉｃｏｎ　　　　　　　２．２硅中铝的理论与实际蒸发量　　　　　　　　　　　　　　硅中杂质铝在熔炼去除中存在三个过程，即熔体　　　　　　　　　　　　　内的扩散过程，溶液的界面反应过程和气态蒸发过程，　三个过程中速度最慢的为杂质铝去除速率决定过程。　　　　　　　　　　　　　　　假设界面反应过程为速率决定过程，则可通过计　　　　　　　　算理论蒸发值得到铝的去除量。　　　　　结合铝的饱和蒸气压Ｐ。、铝的活度系数，根据　　　　Ｌａｎｇｍｕｉｒ方程可得ｎ：一　ＣＯＡｌ一４．３７×　１０×　　　　ＰＡ１／ｙ。Ａｌｃ　（８）　Ｖ　』　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ是随时间变化的函数，随着熔炼时间增加，　１０　　　　材料工程／２０１０年８期　　　　　　　Ｃ含量降低，公式为：　　　ｌｎ（ＣＳ－ＡＩ／ｃ。ＩＡ１）＝＝＝一ｔ（Ａ／ｖ）　（９）　　　　　　　　　　　　　式中：ｃ。．Ａｔ（）是杂质Ａｌ的初始浓度；Ａ（ｃｍ。）为蒸　　　　发表面积；Ｖ（ｃｍ。）为熔硅体积，则硅的蒸发量Ｍ（ｇ）可　　　表示为：　　Ｍ一（ｃＪＡｌ×　　Ａ×　　ｔ　（１０）　　　　　　　　　　　　　　　将方程（８）～（１ｏ）联立，可得到蒸发量Ｍ与时间ｔ和　　　　　温度丁的函数：　　　—Ｍ一６（一ｔｅｘｐ（－－—　Ａｍｔ）＋ｅｘｐ（－－，Ａｍｔ））一　　ｂ　（１１）　　—　　式中：ｎ一卢（），６４．３７ＸＩ。。×　　，＼／／ＦＭ丁ＡＩｌ，Ａｌ　　　ｏｃ×　　　Ａ。　　　　　　　　　　　　　　实验中，初始浓度Ｃ０为０．０００２２％，表面积为　　　　　　　　０．０１７７ｍ。，￡一１８００ｓ，带人到方程（１１）中，可得到不同　　　　熔炼温度下铝的剩余量与时间ｔ的关系，如图３所示。２．５×　２．Ｏ×　×　×　×　　　　　　图３铝的剩余量与熔炼时间的关系　　　　　　　Ｆｉｇ．３Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｒｅｍａｉｎｓｏｆ　　　　　ａｌｕｍｉｎｕｍａｎｄｍｅｌｔｉｎｇｔｉｍｅ　　为了确定硅中杂质铝去除的机制，在表面积和体　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　积相同的条件下进行了两组实验，熔炼时问分别为　　　　　　　　　１５ｍｉｎ和３０ｍｉｎ，表面平均温度为１９４７Ｋｌ９］，电子束是　　以光斑扫描的方式熔炼的，硅熔体表面被电子束光斑　　直接扫描的区域称为直接辐照区，其他区域通过热传　　　　　导来升温，从ＯｈｒｉｎｅｒＥＫ口研究可知，电子束直接辐　　　　　　　　　　　　　　　　射区的温度高于表面平均温度２００Ｋ左右，因此判断　　直接辐射区的温度在２０００Ｋ以上。　　　　　　　　　　　　　由图３可以看出，随着熔炼时间的增加和熔炼温　度的升高，铝的去除率在提高，剩余量降低。熔炼时间　　　　　　　　为１５ｍｉｎ和３０ｍｉｎ的两个样品铝的去除率与１９２７Ｋ　　　　　　　　　的理论熔炼温度符合较好，而不是其所在的１９４７Ｋ，理　　论计算值是基于界面反应速率为决定环节做出的，而　　　　　　　　　　　　　　气态蒸发速率又远大于其他两个环节，因此可以判断　是熔体内部铝的扩散速率小于界面反应导致理论和实　　验的偏差。由于硅中的杂质铝扩散速率低于界面反应　　　　　　　　　　　　　　速率，在实验温度下扩散到表面的铝原子不足以提供　　在该温度下足够发生界面反应的原子数量，制约了铝　　　的去除。　　　杂质磷在硅熔体同样具有高的蒸发系数，前期实　　　验对磷蒸发的理论计算和实际测量结果进行对比，吻　　合较好，说明磷的去除决定性环节是硅熔体表面的界　　　…　面反应，这与ＹｕｇｅＮ等学者得到的结论相同］。　　如果想进一步提高铝的去除率，需要通过加快熔　　　体内的扩散，减少坩埚深度，增加搅拌等方式提高铝原　　子向表面的扩散速率。　　　　　　　　２．３铝蒸发量和硅的损失率关系　硅熔体会随着电子束熔炼去除铝的过程而蒸发损　　　　　　　　　　　　　失，因此在熔炼时要尽量避免硅的损失。铝的去除率　　　　　　　　　　　　与硅的损失率之间的关系可以通过定量计算得到。　　　　　　　　　　　　硅和铝的蒸发量关系如方程（１）所示。ＭｉｋｉＴ［１ｚ］　　　　　　将方程（１）推导为：　１一言一（　　　　　－）古（１２）　式中１一告表示溶液中硅的剩余量。由于杂质铝　　　　　　　　　　　的含量很低，因此铝可近似为无限稀溶液，则方程（１２）　　　　可进一步转化为：　　　　　１一ｙ一（）古　（１３）　　Ｄ—　ｌ￣ｏＡｌ　由方程（１３）可以得到铝的剩余量与硅的损失量之　　　　　　　间的关系，如图４所示。　　　　图４不同熔炼温度下铝的剩余量与　　硅的损失量之间的关系　　　　　　　　Ｆｉｇ．４Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｒｅｍａｉｎｓｏｆａｌｕｍｉｎｕｍ　　　　　　　　ａｎｄｍａｓｓｌｏｓｓｏｆｓｉｌｉｃｏｎａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　　从图４可以看出，电子束熔炼温度越高，去除等质　量的铝所对应的硅损失率越大，因此为避免硅的损失，　　　应在较低的温度下熔炼。但温度过低会延长去除铝的　　　　　　　　　　时间，提高能耗，因此在今后的研究中将进一步优化电　　　　　　　　　子束熔炼去除铝的温度与时间关系。　　电子束熔炼多晶硅对杂质铝去除机制研究　１ｌ　　　　　　　　　　　　　　　从上述实验可以看出，电子束熔炼可以将杂质铝　　降低到１Ｏ　，达到太阳能级硅的要求。综合电子束　　　　　　除磷的效果，表明用电子束熔炼定向凝固后的多晶硅，　　　　可以在去除磷的基础上进一步降低杂质铝的含量，有　　　　效降低了定向凝固提纯的次数，节约了成本。　　　　３结论　　　　　　　　　　　（１）硅中铝的蒸发系数＞１０，可以通过蒸发的方　　　　式，采用电子束熔炼加以去除。　　　（２）去除铝的速率决定环节是铝原子扩散到表面　　　　的速度，提高硅熔体中铝原子的扩散速度将提高其去　　除效果。　　　　　　　　　　　　（３）铝的去除伴随着硅的蒸发，受熔炼温度影响很　大，熔炼温度越高，降低到同样程度的铝含量所对应的　　　　　硅损失量就越大。　　参考文献　　　　　　　　　［ｉ］２００８年中国多晶硅行业发展研究报告Ｉ－Ｒ］．北京：电子材料行业　　协会，２００９．　　　　“　　［２］杨玉安．多晶硅产业化技术研究发展建议［Ａ］．多晶硅材料十一”　　　　　　　五科技发展战略研讨会论文集［ｃ］．北京：电子材料行业协会，—　　２００５．４５５５．　　　　　　　—　［３］ＹＵＧＥＮ，ＡＢＥＭ，ＨＡＮＡＺＡＷＡＫ．Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ　　　　　　　　ｇｒａｄｅｓｉｌｉｃｏｎｕｐｔｏｓｏｌａｒｇｒａｄｅ［Ｊ］．ＰｒｏｇＰｈｏｔｏｖｏｈ：ＲｅｓＡｐｐｌ，—　　２００１，９（３）：２０３２０９．　　　　　　　　　　　Ｉ－４］ＢＲＡＧＡＡＦＢ，ＭＯＲＥＩＲＡＳＰ，ＺＡＭＰＩＥＲＩＰＲ，ｅｔａ１．Ｎｅｗｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　　　　　　　　ｆｏｒｔｈｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆｓｏｌａｒ－ｇｒａｄｅｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ：ａｒｅｖｉｅｗ［Ｊ］．　　　　　　　　ＳｏｌＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒＳｏｌＣｅｌｌｓ，２００８，９２（４）：４１８－－４２４．　　　　　　　　　［５］姜大川，谭毅，董伟，等．电子束束流密度对冶金硅中杂质磷的影　—　响ＥＪ３．材料工程，２０１０，（３）：１８２１．　　　　　　　　　　　［６］王占国，陈立泉，屠海令．机械工程大辞典：第７卷［Ｍ］．北京：化　　　　学工业出版社，２００６．６７７．　　　　　　　—　［７］ＭＩＹＡＫＥＭ，ＨＩＲＡＭＡＴＳＵＴ，ＭＡＥＤＡＭ．Ｒｅｍｏｖａｌｏｆｐｈｏｓ　　　　　　　　　　　　ｐｈｏｒｕｓａｎｄａｎｔｉｍｏｎｙｉｎｓｉｌｉｃｏｎｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇａｔｌｏｗ　　　—　ｖａｃｕｕｍ［Ｊ］．ＪＪｐｎＩｎｓｔＭｅｔ，２００６，７０（１）：４３４６．　　　　　　　　　　　　　　　［８］韩其勇．冶金过程动力学［Ｍ］．北京：冶金工业出版社，Ｉ９８３．—　　１９９２００．　　　　　—　［９］ＴＡＫＡＨＩＲＯＭ，ＫＡＺＵＫＩＭ，ＮＯＢＵＯＳ．Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｐｒｏｐ　　　　　　　ｅｒｔｉｅｓｏｆａｌｕｍｉｎｕｍ，ｍａｇｎｅｓｉｕｍ．ａｎｄｃａｌｃｉｕｍｉｎｍｏｌｔｅｎｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．　　　　　—　　ＭｅｔａｌｌＭａｔｅｒＴｒａｎｓＢ，１９９８，２９：１０４３１０４９．　　　　　　　　　　［１Ｏ］ＯＨＲＩＮＥＲＥＫ．Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｉｒｉｄｉｕｍｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｍｅｌｔｉｎｇ　　—　［Ｊ］．ＪＡｌｌｏｙｓＣｏｍｐｄ，２００８，４６１（２）：６３３６４０．　　　　　　　—　［１１］ＨＡＮＡＺＡＷＡＫ，ＹＵＧＥＮ，ＫＡＴＯＹ．Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎｏｆｐｈｏｓｐｈｏｒ　　　　　　　　　　ｕｓｉｎｍｏｌｔｅｎｓｉｌｉｃｏｎｂｙａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．　　—　　ＭａｔｅｒＴｒａｎｓ，２００４，４５（３）：８４４８４９．　　　　　　　［１２］ＭＩＫＩＴ，ＭＯＲＩＴＡＫ，ＳＡＮＯＮ．Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｓｏｆｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ　　　　　—　ｉｎｍｏｌｔｅｎｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ￣．ＭｅｔａｌｌＭａｔｅｒＴｒａｎｓＢ，１９９６，２７：９３７９４１．　　　　　基金项目：辽宁省重大攻关计划资助项目（２００６２２２００７）　——　　——　收稿日期：２００９０７１２；修订日期：２０１００４０１　　　　　　　　　　　作者简介：姜大川（１９８３一），男，在读博士，研究方向：电子束提纯多晶　　　　　　　　—　硅，联系地址：大连理工大学新三束实验室２ｌＯ（１１６０８５），Ｅｍａｉｌ：ｔａｎｙｉ　＠ｄｌｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米来米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米米　　　（上接第７页）　　　　　　Ｅ２］惠卫军，董瀚，陈思联．非金属夹杂物和表面状态对高强度弹簧钢　—　疲劳性能的影响［Ｊ］．特殊钢，１９９８，１９（６）：８１４．　　　　　　　　　　　　Ｅ３］ＺＨＡＮＧＪＭ，ＬＩＳＸ，ＹＡＮＧＺＧ，ｅｔａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｉｎｃｌｕｓｉｏｎ　　　　　　　　　　　—　ｓｉｚｅｏｎｆａｔｉｇｕｅｂｅｈａｖｉｏｒｏｆｈｉｇｈｓｔｒｅｎｇｔｈｓｔｅｅｌｓｉｎｔｈｅｇｉｇａｃｙｃｌｅｆａ　　　　　ｔｉｇｕｅｒｅｇｉｍｅ［Ｊ］．ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＪｏｕｒｎａｌｏｆＦａｔｉｇｕｅ，２００７，２９（４）：７６５—　７７１．　　　　　　　　　［４］ＭＥＬＡＮＤＥＲＡ，ＬＡＲＳＳＯＮＭ．Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｓｔｒｅｓｓａｍｐｌｉｔｕｄｅｏｎ　　　　　　　　　—　ｔｈｅｃａｕｓｅｏｆｆａｔｉｇｕｅｃｒａｃｋｉｎｉｔｉａｔｉｏｎｉｎａｓｐｒｉｎｇｓｔｅｅｌ［Ｊ］．Ｉｎｔｅｒｎａ　　　—　　ｔｉｏｎａｌＪｏｕｒｎａｌｏｆＦａｔｉｇｕｅ，１９９３，１５（２）：１１９１３１．　　　　　　　　　［５］黄飞，侯友夫，牛超超，等．基于遗传算法的盘式制动器碟形弹簧　　—　优化设计［Ｊ］．机械设计与制造，２００９，（５）：２７２９．　　　　　　　　　　　　　　　　［６］胡世炎．机械失效分析手册［Ｍ］．成都：四川科学技术出版社，—　　１９９９．２２６２２８．　　　　　　　　　　　［７］王学颜，宋广惠．结构疲劳强度设计与失效分析［Ｍ］．北京：兵器　　—　工业出版社，１９９２．２４２７．　　　　　　［８］张国玉．汽车扭杆悬架及扭杆弹簧的优化设计［Ｊ］．四川Ｉ工业学院　—　学报，１９８９，８（２）：１２２１２７．　　　　　　　　　［９］李骏，郭厚煜．汽车扭杆弹簧及扭杆悬架的优化设计［Ｊ］．华东交　　　　　—　通大学学报，２０００，１７（３）：５８６２．　　　——　　　——　收稿日期：２００９０７０６；修订日期：２０１００４１７　　　　　　作者简介：刘昆鹏（１９８１一），女，博士研究生，主要从事金属疲劳损伤检　　　　　　　　　　测方面的研究，联系地址：北京市海淀区学院路３７号北京航空航天大　　—　学１系８研（１００１９１），Ｅｍａｉｌ：ｚｈｅｎｌｉｕｋｕｎｐｅｎｇ＠１６３．ｃｏｍ　　　　　　　　　　通讯作者：张峥，教授，主要从事失效分析预测预防研究，联系地址：北　　　　　　　—　京市海淀区学院路３７号北京航空航天大学１系８研（１００１９１），Ｅｍａｉｌ：　　ｚｈａｎｇｚｈ＠ｂｕａａ．ｅｄｕ．ｃｎ