多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响.pdf

　７０　　　　　　材料工程／２０１２年３期　　　多孑Ｌ硅的制备及其吸杂处理对　　电学性能的影响　　　　　　　ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎａｎｄｔｈｅＩｎｆｌｕｅｎｃｅ　　　　　　ｏｆＧｅｔｔｅｒｉｎｇｏｎｔｈｅＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　　　　　　　李佳艳，郭素霞，谭毅。，刘辰光　　　　　　　　　　（１辽宁省太阳能光伏系统重点实验室，辽宁大连１１６０２４；　　　　　　　　２大连理工大学材料学院，辽宁大连１１６０２４）　—　　　—　　　　　—　’　ＬＩＪｉａｙａｎ，ＧＵＯＳｕｘｉａ～，ＴＡＮＹｉ，ＬＩＵＣｈｅｎｇｕａｎｇ　　　　　　　　　　　（１ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｙｓｔｅｍｏｆＬｉａｏｎｉｎｇＰｒｏｖｉｎｃｅ，　　　　　　　　　Ｄａｌｉａｎ１１６０２４，Ｌｉａｏｎｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ；２ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　　　　　　　ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｄａｌｉａｎ１１６０２４，Ｌｉａｏｎｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ）　　　　　　　　　　　摘要：多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷，提高太阳能电池转换效率的有效方法。采用电化学腐蚀方法在单晶硅　　　　　　　　　　　　　　片上制备多孔硅，通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化，研究不同电流密度制备的多孑Ｌ硅对吸杂效果　　　　　　　　　　　　　的影响，并从多孑Ｌ硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理。结果表明，随电流密度增加，孑Ｌ隙率明显增加，多孔硅在电流密　　　　　　　　　　　度为１００ｍＡ／ｃｍ时，孔隙率最大；电流密度越大，多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加，晶格常数相应增加，这两个因　　　　　　　素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层一基底界面处迁移和富集，导致单晶硅吸杂后电阻率增大。　　　　　关键词：多孑Ｌ硅；电化学腐蚀；吸杂性能；电阻率　　中图分类号：Ｏ６１３．７；Ｏ６４６　　文献标识码：Ａ　——　文章编号：１００１－４３８１（２０１２）０３００７００４　　　　　　　　　　　　　—　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｇｅｔｔｅｒｉｎｇｗａｓａｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｍｅｔｈｏｄｆｏｒｒｅｄｕｃｉｎｇｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓａｎｄｄｅｆｅｃｔｓｉｎｃｒｙｓ　　　　　　　　　　　　　　ｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎａｎｄｉｍｐｒｏｖｉｎｇｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｓｏｌａｒｃｅｌ１．Ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｌａｙｅｒｗａｓｐｒｅｐａｒｅｄｏｎ　　　　　　　　　　　　　—　ｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｏｆｍｏｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎｇ．Ｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｓｏｆｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉ　　　　　　　　　　　　　　　　—　ｃｏｎｌａｙｅｒｗｅｒｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄａｎｄｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｎｔｈｅｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｇｅｔｔｅｒｉｎｇｏｆｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙ．Ｍｏｒｅｏ　　　　　　　　　　　　　　ｖｅｒ，ｔｈｅｇｅｔｔｅｒｉｎｇｍｅｃｈａｎｉｓｍｗａｓｓｕｐｐｏｓｅｄｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔ　　　　　　　　　　　　　　　ｓｈｏｗｅｄｔｈａｔｔｈｅｐｏｒｏｓｉｔｙｉｎｃｒｅａｓｅｄｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙａｓｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙｉｎｃｒｅａｓｉｎｇａｎｄｔｈｅｍａｘｉｍｕｍ　　　　　　　　　　　　　　—　ｖａｌｕｅｓａｒｅａｃｈｉｅｖｅｄｆｏｒｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙ１００ｍＡ／ｃｍ．Ｔｈｅｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｌａｙｅｒｆｏｒｍａｔｉｏｎｗａｓａｃ　　　　　　　　　　　　　　ｃｏｍｐａｎｉｅｄｂｙｔｈｅａｐｐｅａｒａｎｃｅｏｆｅｌａｓｔｉｃｍｅｃｈａｎｉｃａｌｓｔｒｅｓｓａｎｄｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｏｆｌａｔｔｉｃｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓ．Ｔｈｅ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｔｗｏｆａｃｔｏｒｓｗｅｒｅｂｅｎｅｆｉｃｉａｌｔＯｔｈｅｍｉｇｒａｔｉｏｎｆｏｒｄｅｆｅｃｔｓａｎｄｍｅｔａｌｌｉｃｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓｆｒｏｍｔｈｅｂｕｌｋｔｏｔｈｅＰＳ　　　　　　　　　ｌａｙｅｒ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ｔｈｅｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙｉｎｃｒｅａｓｅｄｗｉｔｈｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ．　　　　Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ；ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎｇ；ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ；ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　　　晶体硅材料是太阳电池的主要材料，其性能的好　　　　　　　　　　　坏直接影响着电池最终的转换效率。影响晶体硅材料　　　　　　　　　　　质量的主要因素是结构缺陷和杂质。太阳电池用晶体　　　　　硅中的缺陷包括空位、位错、晶界、硅自间隙原子和各　　　种形式的杂质原子以及沉积物等结构缺陷；杂质主要　　　　包括非金属杂质（碳、氧、硼、磷等）和金属杂质（主要　　　　　　　是过渡族金属）。这些杂质的存在及其与材料结构　　　　　　　缺陷的相互作用极大地降低了器件的电学性能，减　　　　　　　　　小少数载流子的扩散长度，从而降低了太阳电池的　　转换效率］。　　　为了减少硅片表面有源区的缺陷和杂质，消除这　　　　　　　　　　　　些杂质和缺陷对单晶硅电池的影响成为当前人们研究　　　　　　　　　　　　的主要课题。吸杂技术ｌ２是提高硅片质量行之有效的　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　方法。目前吸杂技术主要分为内吸杂和外吸杂两大　　类。内吸杂方法＿３是通过热处理在硅片内部形成氧沉　　　淀并诱发二次缺陷将杂质束缚在硅体内，最终在表面　　　　　形成洁净区。外吸杂包括磷吸杂ｊ，铝吸杂ｌ＿４，磷一　　铝联合吸杂［４等。此外经过热处理将杂质和缺陷扩散　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　到多孔层而进行吸杂的方法也是一种非常有效的方　法　　　　　　　　　　　　。多孔硅是一种由许多小孔组成的网状结构，　　　通常由化学腐蚀、电化学腐蚀等方法来制备。利用形　　　　　　成的多孔硅层＿１］会诱生出位错或弹性应力对硅中　　　　　多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响　７１　　　　　　　　　　　　　　　　的杂质和缺陷形成吸除作用，使硅的自间隙原子及硅　　中的其他杂质沉积在多孔硅层，最终用碱溶液去除多　　　　　　　　　　　　　孔硅层达到吸除杂质和缺陷的目的。多孔硅可将表面　　　织构化、钝化和表面减反射层的制备融为一步来完成，　　　　　　　　　　　　　并且使其对硅中的杂质和缺陷有一定的吸除作用＿】。　。　　　本工作重点研究电化学腐蚀方法制备多孔硅，在　　　不同的腐蚀电流密度下形成多孔硅的形貌和结构，以　　　及多孔硅吸杂对电阻率的影响状况。探讨吸杂处理对　　　单晶硅电阻率影响的原因。从机理方面分析多孔硅吸　　　　　杂的深层原因。　　　　１实验　　　　　　　　　　实验采用电阻率为０．００８、厚度为５００￣ｍ的Ｐ型　　　（１００＞面单晶硅片制备多孔硅。样品进行单面抛光，然　　后依次进行清洗，丙酮溶液中超声清洗１０ｒ　ａｉｎ，去除油　　　　　　　　　　　　　脂。乙醇溶液中超声清洗１０ｍｉｎ，去除有机物。去离　　　　　　　　　　　子水中超声清洗５ｍｉｎ，去除表面颗粒。ＨＦ溶液中浸　　　　　　　泡（ＨＦ：Ｈ２Ｏ一１：１０）１５Ｓ，去离子水中超声５ｍｉｎ。　　　然后在硅片的背面用磁控溅射的方法镀铝膜，以提供　　好的欧姆接触。镀膜参数如表１。　　　　表１磁控溅射方法镀铝膜的相关参数　　　　　　　　　Ｔａｂｌｅ１Ｔｈｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｆｉｌｍｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　　　　ｂｙｍａｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　　　　实验过程中为防止ＨＦ腐蚀Ａｌ背极，使用热熔胶　　　　　　　　　　　　　　　　将硅片背面的Ａｌ背极包覆隔离。按图１装置进行硅　　　　　　　　　　　　　的电化学腐蚀，腐蚀液组成为ＨＦ（４０）：Ｃ。ＨＯＨ，　　　　　　　　　　　　　　　体积比１：１配置溶液。实验过程中通过改变电流密　　　　　度，得到不同形貌的多孔硅。将腐蚀后的样品放入管　　　　℃　　　　　　　　　式炉，在温度为３００热处理６０ｍｉｎ，以稳定多孔硅的　　　　　　　　　　　　结构。实验用电源为ＡＰＳ３００５Ｓ型恒流稳压电源，使　　　　　　　　　　　　　　　用ＳＹＪ一１５０型金刚石切割机对单晶硅试样进行切割，　　　　　　　　其表面形貌用ＦＥＩＮｏＶＡＮａＮＯＳＥＭ４５０场发射扫描　　　　　　　　　　　电子显微镜进行观察，晶体结构采用ＳＨＩＭＡＤｚＵ　　　　　　　ＸＲＤ一６０００Ｘ射线衍射仪进行测试。　　　　　　　　　　　℃　多孔硅样品在管式炉中氩气保护性气氛下９５０　　　　　　　热处理２．５ｈ，完成多孔硅的吸杂过程，最后在０．１ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　　　　　　的ＮａＯＨ溶液中去除多孔层以测硅片表面的电阻率变　　　化。电阻率使用ＫＤＹ一１型四探针电阻率测试仪进行　　　　　　　测试（测试范围为０．００１～６０００Ｑ・ａｍ，方法为对同　　Ｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙ　　Ｇｒａｐｈｉｔｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅ　　　　图１电化学腐蚀装置　　　　　　　Ｆｉｇ．１Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｏｆｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎｇｅｑｕｉｐｍｅｎｔ一　　试样采用多点测量，取其平均值）。　　２结果和讨论　　　　　２．１多孔硅形貌分析　　　　　图２表示在相同的溶液配比条件下，腐蚀时间为　　　　　３０ｍｉｎ，腐蚀电流密度分别为４０，６Ｏ，８Ｏ，１００ｍＡ／ｃｍ　　　　条件下所形成的多孔硅微观形貌图。由图中可以看　　　　　　　出，经过电化学腐蚀后，随着电流密度的增加，孔的尺　　　　　　　　　　　　　　　寸和密度也在增加。电流密度达到１００ｍＡ／ｃｍ时，　　　　　　　　　　　　　　　　　孔径大小和密度达到最大。通过软件分析计算，随着　　　　　　　　　　　　　　　　　电流密度的增加，制备得到的多孔硅孔隙率逐渐增加　　　　（如图３）。Ｓｍｉｔｈ等Ｅ１４３的研究表明，腐蚀初期的小孑Ｌ　　　　　　　　　　　　　　　　　是由于单晶硅表面原子被随机腐蚀掉而形成的，杂质　　　原子易被电场激活，对腐蚀起诱导作用，在单晶硅表面　　　　形成极小的凹坑。电流密度较小时，被电场激活的杂　　　　　质原子数较少，故腐蚀初期形成的凹坑数较少。此时　　腐蚀过程取决于空穴的扩散，凹坑底部优先被腐蚀而　　　形成多孔硅。因此这样形成的孔数量较少，相邻孔之　　　　间的孔壁较厚，随着电流密度增加，加在样品两端的电　　　　　　　　　　　　　　　　压随之增大，使电解液中的Ｆ能量变大，有利于Ｆ克　　　　　　　　　　　　　　　服固一液表面势向Ｓｉ靠近，使到达Ｓｉ处的Ｆ数量增　　　加，这使在初期单晶硅片表面形成的ｓｌ，：ｆＬ数量增多，即　　　　　　　　　　　　　　　　　　相邻孔之间的孔壁变薄，又因为电流增加可以提高单　　　　　　　　　　　　　　晶硅片内的空穴的能量，更容易参与Ｓｉ原子的溶解，　　　　　　　　　　　　　　　　使产生的小孔孑Ｌ径增加。所以，较大的电流密度使生　　　　　　　　　　　　　　　　成的多孔硅孔隙率也较大。另外，实验中发现，随着　　　　　　　　　　　　　　　　电流密度的增加，样品表面的颜色也逐渐加深。实　　　验研究还发现当电流密度或者腐蚀时间增加到一定　　　　　　　　值的时候，多孔硅会发生剥落现象。这可能是因为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　多孔硅的晶格常数较基底硅的变化导致了晶格的四　　　　　　　　　方畸变，使得多孔硅层与硅基体之间的界面产生应　　　　　　　　力增加，最终使得厚度增加的同时多孔硅层发生卷　曲或脱落ｌ＿１¨　］。　　　多孑Ｌ硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响　７３　　　　　　理，使用０．１ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ溶液溶解去除多孔硅层后　　　　　　　　　　　　所测的电阻率变化图，图中可以明显地看出，经过吸杂　　　　　　　　　　　　　　　　　　　处理以后，样品的电阻率明显增加，电流密度为　　　　　　　　　　　　　１００ｍＡ／ｃｍ。时，电阻率提高最大，约提高５１．２，这　　　　　　　　　　　　　　　与多孔硅的形貌、孑Ｌ隙率和结构有很大的关系。吸杂　　　　　　　　　　　　　　效果是基于杂质和缺陷在多孔层一基底界面处富集，然　　　　　　　　　　　　后扩散到多孑Ｌ层这个吸杂中心所致。这一理论也可以　　　　　　　　　　　　　通过研究吸杂作用与热处理温度和时间的关系来进一　　　　　步得到证实＿１。　喜　９　０　２０　４０　６０　８０　ｉ００　ｄ／（ｍＡ・ｃｍ。１　　　　　　图５单晶硅和电流腐蚀密度Ｊ一４０，６０，８０，　　　　　１００ｍＡ／ｃｍ下多孑Ｌ硅的电阻率变化图　　　　　　　　Ｆｉｇ．５Ｖａｒｉａｔｉｏｎｏｆｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙｏｆｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　　　　　　　ｓｉｌｉｃｏｎａｎｄｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｗｉｔｈｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙ　　　　３结论　　（１）随电流密度增加，单晶硅制备得到的多孔硅孔　　　　　隙率明显增加，多孑Ｌ硅在电流密度为１００ｍＡ／ｃｍ时，　　　　孑Ｌ隙率最大。　　　　　　　　　（２）电流密度越大，多孔硅伴随所产生的弹性机械　　　　　　　　　　　　　应力增加，晶格常数相应增加，这两个因素都有利于缺　　陷和金属杂质在多孔硅层一基底界面处迁移和富集。　　　　　　　　　　　（３）同时，其对应的电阻率结果与吸杂机理分析相一　　　　　　　　　　　　　　　致，电流密度的增加，电阻率增大，当电流密度达到１００ｍＡ／ｅｒ　　　　　　　　　　　　ａ时，电阻率提高最大，约提高５１．２。　［１］　［２］　［３］　［４］　　参考文献　　　　　　　　　　　　王书荣，陈庭金，刘祖明，等．多晶硅太阳电池的吸杂实验研究　—　［Ｊ］．云南师范大学学报，２００１，２１（６）：４３４４．　—　杨德仁．硅材料的吸杂研究［Ｊ］．半导体技术，１９９２，（８）：５３５６．　　　汤艳．直拉单晶硅内吸杂研究［Ｄ］．杭州：浙江大学，２００２．　　　　　　　　ＪＯＯＳＳＷ，ＨＡＨＮＧ，ＦＡＴＨＰ，ｅｔａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　　　　　　—　　—　ｌｅｎｇｔｈｓｉｎｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＰ／ＡＩｃｏｇｅｔｔｅｒｉｎｇｄｕｒｉｎｇｓｏ　　　　　　　　—　ｌａｒｃｅｌｌｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ［Ｃ］／／ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＳｅｃｏｎｄＷｏｒｌｄＣｏｎｆｅｒ　　　　　　　—　ｅｎｃｅａｎｄＥｘｈｉｂｉｔｉｏｎｏｎＰｈｏｔｏｖｏｈａｉｃＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎ，Ｖｉ—　　ｅｎｎａ，Ａｕｓｔｒｉａ，１９９８：６８９６９５．　［５３　［６］　［７］　［８］　　　　　　　　——　ＳＰＩＥＣＫＥＲＥ，ＳＥＩＢＴＭ，ＳＣＨＲＯＴＥＲＷ．Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓｄｉｆｆｕ　　　　　　　　　　ｓｉｏｎｇｅｔｔｅｒｉｎｇｉｎｔｈｅｐｒｅｓｅｎｃｅｏｆａｎｏｎｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆ　　　　　　ｓｉｌｉｃｏｎｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌｓ：Ａｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅｍｏｄｅｌ［Ｊ］．ＰｈｙｓＲｅｖＢ，１９９７，　—　　５５（１５）：９５７７９５８３．　　　　　　　　　　　—　ＪＯＳＨＩＳＭ，ＧＯＳＥＩＥＵＭ，ＴＡＮＴＹ．Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｍｉｎｏｒｉ　　　　　　　　　ｔｙｃａｒｒｉｅｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎｌｅｎｇｔｈｉｎｓｉｌｉｃｏｎｂｙａｌｕｍｉｎｕｍｇｅｔｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］．　　　　　ＡｐｐｌＰｈｙｓＬｅｔｔ，１９９５，７７（８）：３８５８３８６３．—　　　　　—　ＧＡＹＨＥＮＱＵＩＮＥＴＮ，ＭＡＲＴＩＮＵＺＺＩＳ．Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｎａｎｏ　　　　　　　ｃａｖｉｔｙｂａｃｋｓｉｄｅｇｅｔｔｅｒｉｎｇｉｎｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌ１ｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ［ｅｌ／／　　　　　　　　　　ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＳｅｃｏｎｄＷｏｒｌｄＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＰｈｏｔｏｖｏｈａｉｃＳｏｌａｒ　　　　ＥｎｅｒｇｙＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎ，Ｖｉｅｎｎａ，Ａｕｓｔｒｉａ，１９９８：１５９９１６０２．　　　　　　　ＫＨＥＤＨＥＲＮ。ＨＡＪＪＩＭ．ＢＯＵＡＩＣＨＡＭ，ｅｔａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　　　　　　　　　　ｏｆｔｒａｎｓｐｏｒｔｐａｒａｍｅｔｅｒｓｉｎｓｏｌａｒｇｒａｄｅｍｏｎｏｃｒｙｓｔａｌ１ｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙ　　　　　　　　　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆａｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｌａｙｅｒ口］．ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅ　　　　Ｃｏｍｍ，２００２．１２３：７１０．　　　　　　　　　　［９７ＫＨＥＤＨＥＲＮ，ＪＡＢＡＩＩＡＨＡＢ，ＨＡＳＳＥＮＭ，ｅｔａ１．Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ　　　　　　　　　ｂｙｈｅａｔｔｈｅｒｍａｌｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒ　　　　—　ｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒＳｃｉｉｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，２００４，７：４３９　４４２．　　　　　　　［１０］ＨＡＳＳＥＮＭ，ＪＡＢＡＬＬＡＨＡＢ，ＨＡＪＪＩＭ，ｅｔａ１．Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　［１１］　［１２］　［１３］　［１４］　［１５］　［１６］　　　　　　　　ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｓｏｆｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙｉｔｅｒａｔｉｖｅｇｅｔｔｅｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ　　　　　　　　　　　　ｆｏｒｓｈｏｒｔｄｕｒａｔｉｏｎａｎｄｗｉｔｈｔｈｅｕｓｅｏｆｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎａｓｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ　　　　—　ｌａｙｅｒ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００５，８７（１４）：—　　４９３４９９．　　　　　　　　　　ＩＩＮＣＳ。ＦＡＮＧＳＫ．Ｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｃｅｒｉｕｍｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｃｏａｔｉｎｇｓ　　　　　　ｏｎＡＺ３１ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｌｌｏｙｓ［Ｊ］．ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃ，２００５，１５２　（２）：Ｂ５４．　　　　　　　　谢荣国，席珍强，马向阳．用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反　　—　射膜的研究［Ｊ］．材料科学与工程，２００２，２０（４）：５０７５０９．　　　　　　　　—　ＳＴＲＥＨＩＫＥＳ，ＢＡＳＴＩＤＥＳ．Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｒｅ　　　　　　　ｆｌｅｃｔａｎｃｅｆｏｒｓｉｌｉｃｏｎｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ　　—　＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，１９９９，５８：３９９４０９．　　　　　　　　　—　ＳＭＩＴＨＲＬ．ＣＯＬＬＩＮＧＳＳＤ．Ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｍｅｃｈａ　　ｎｉｓｍｓ［ｊ］．ＡｐｐｌＰｈｙｓ，１９９２，７１（８）：Ｒ１一Ｒ２２．　　　　张树霖．多孔硅一一种新形态的硅材料［Ｊ］．物理，１９９２，２１（８）：４７８—　４８３．　　　　　　　　　—　　Ｙ０ＵＮＧＩＭ，ＢＥＡＩＥＭＩＪ，ＢＥＮＪＡＭ１ＮＪＤ．Ｘｒａｙｄｏｕｂｌｅ　　　　　　　　ｃｒｙｓｔａｌｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎｓｔｕｄｙｏｆＰｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．ＡｐｐｌＰｈｙｓＬｅｔｔ，　　　１９８５，４６（１２）：ｌ１３３１ｌ３５．　　　　　　　　　—　［１７］ＢＩＩＹＡＬＯＶＲ，ＳＴＡＬＭＡＮＳＩ，ＢＥＡＵＣＡＲＮＥＧ，ｅｔａ１．Ｐｏｒ　　　　　　　—　　—　ＯＵＳｓｉｌｉｃｏｎａｓａｎｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅｌａｙｅｒｆｏｒｔｈｉｎｆｉｌｍｓｏｌａｒｃｅｌｌ［Ｊ］．Ｓｏ　　　　—　ｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２ｏＯ１，６５：４７７４８５．　　　　　基金项目：国家自然科学基金（５１０７４０３２）；中央高校基本科研业务费资　　助（ＤＵＴ０９２Ｃ（３）３１０）　　—　　　—　收稿日期：２０１１－０９１５；修订日期：２０１１ｌ２２９　　　　　　作者简介：李佳艳（１９８Ｏ一），女，讲师，主要从事冶金法提纯多晶硅的研　　　　究，联系地址：辽宁省大连市大连理工大学新三束实验室２０９（１１６０２４），—　Ｅｍａｉｌ：ｌｉｊｉａｙａｎ＠ｄｌｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ　　　　　　　　　　　　通讯作者：谭毅（１９６１一），男，教授，主要从事冶金法提纯多晶硅的研　　　　　—　究，联系地址：大连理工大学新三束实验室２０８（１１６０２４），Ｅｍａｉｌ：ｔａｎｙｉ　　＠ｄｌｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ